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J-GLOBAL ID：201702270467311670   整理番号：17A0370167

semibulk吸収体を用いたInGaNヘテロ接合太陽電池効率の改善【Powered by NICT】

Improving InGaN heterojunction solar cells efficiency using a semibulk absorber

著者 (23件)： Arif M. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Arif M. (Universite de Lorraine and CentraleSupelec, LMOPS, EA4423, 57070 Metz, France) ,  Elhuni W. (GeePs, CNRS UMR8507, CentraleSupelec, Univ Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, Sorbonne Universite-UPMC, Gif-sur-Yvette, Cedex, France) ,  Streque J. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Sundaram S. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Belahsene S. (CNRS, UPR LPN, 91460 Marcoussis, France) ,  El Gmili Y. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Jordan M. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Jordan M. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Li X. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Li X. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Patriarche G. (CNRS, UPR LPN, 91460 Marcoussis, France) ,  Slaoui A. (CNRS, ICUBE - Universite de Strasbourg, France) ,  Migan A. (GeePs, CNRS UMR8507, CentraleSupelec, Univ Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, Sorbonne Universite-UPMC, Gif-sur-Yvette, Cedex, France) ,  Abderrahim R. (CNRS, UPR LPN, 91460 Marcoussis, France) ,  Djebbour Z. (GeePs, CNRS UMR8507, CentraleSupelec, Univ Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, Sorbonne Universite-UPMC, Gif-sur-Yvette, Cedex, France) ,  Djebbour Z. (Departement des Sciences Physiques, UVSQ - Universite Paris-Saclay, 45 Av des Etats-Unis, 78035 Versailles, France) ,  Voss P.L. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Voss P.L. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Salvestrini J.P. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Salvestrini J.P. (Universite de Lorraine and CentraleSupelec, LMOPS, EA4423, 57070 Metz, France) ,  Ougazzaden A. (Georgia Tech Lorraine, Georgia Tech-CNRS, UMI2958, 57070, Metz, France) ,  Ougazzaden A. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332-0250, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 405-411  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： semibulk吸収体(多層InGaN/GaN構造)を用いたInGaNヘテロ接合太陽電池における強化された短絡電流密度と電力変換効率を示し,インジウム濃度8%であった。semibulk吸収体は,85%のピーク外部量子効率とAM1.5G下で0.57mA~2の短絡電流密度を示し,すなわち単一厚InGaN吸収体に基づく典型的なInGaN太陽電池よりも四倍高かった。電力変換効率は,AM1.5下で約0.39%Gであり,8%インジウム取り込みのための技術の状態よりも三倍高かった。電力変換効率の向上は,InGaN吸収体の構造品質の向上に起因した。シミュレーションと実験の結果は,太陽電池の電力変換効率を制限するパラメータの深さの研究を提示した。semibulk吸収体は高効率InGaN系PINヘテロ接合太陽電池の実現のための洗練された解決策である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多層 ,  *吸収体 ,  *窒化ガリウム ,  *太陽電池 ,  品質
準シソーラス用語： 高効率 ,  外部量子効率 ,  電力変換効率 ,  短絡電流密度 ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： InGaN ,  太陽電池 ,  Semibulk

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 吸収体 ,  InGaN ,  ヘテロ接合太陽電池