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J-GLOBAL ID：201702270484390222   整理番号：17A0326068

誘電体界面トラップ不動態化と傾斜チャネル変調ドーピングによる金属酸化物薄膜トランジスタの電気的性能の調整【Powered by NICT】

Tuning the electrical performance of metal oxide thin-film transistors via dielectric interface trap passivation and graded channel modulation doping

著者 (9件)： Wu Zhiheng (State Centre for International Cooperation on Designer Low-Carbon and Environmental Materials (ICDLCEM), School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450001, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Yao Zhiqiang ,  Liu Suilin ,  Yuan Bin ,  Zhang Yake ,  Liang Yu ,  Wang Zhuo ,  Tang Xiaosheng ,  Shao Guosheng
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 5  ページ： 1206-1215  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不動態化トラップ欠陥と機能的誘電体及びチャネル層のキャリア濃度とドーピングプロファイルを制御することは,高性能電子デバイスを設計するための前提条件である。,InGaZnO薄膜トランジスタ(TFT)の電気的性能に及ぼす誘電体界面トラップ不動態化と傾斜チャネル変調ドーピングの影響を調べた。HfO_2薄膜の間に挟まれた厚さ2nmまでの超薄Al_2O_3不動態化層の導入は,InGaZnO TFTにおけるヒステリシスの効率的な抑制を可能にした。傾斜チャネルドーピングプロファイルを持つIGZO TFTは,成長中断なしで酸素分圧の連続変調により構築した。高性能エンハンスメントモードInGaZnO TFTは高いキャリア濃度勾配InGaZnO膜の深さを制限するだけで数Åの薄さに作製した。傾斜チャネル構造InGaZnO TFTは飽和移動度112.8cm~2V~ 1s~ 1の82.6mV dec~ 1の小さいサブしきい値スイング,0.28Vの低いしきい値電圧,高いオン/オフ電流比>2.0×10~9を含む一貫して優れた特性は市販の低温ポリシリコンTFTに匹敵することを示した。最も重要なことは,作製したInGaZnO TFTは高出力発光ダイオードアレイのためのロバストな電流制御容量を示した。高速酸化物エレクトロニクスの開発に向けての主要な段階である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  *チャネル ,  キャリア密度 ,  高速度 ,  ヒステリシス ,  *変調ドーピング ,  *不動態化 ,  ロバスト性 ,  濃度勾配 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  酸素分圧 ,  ドーピングプロファイル ,  *界面トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘電体 ,  界面トラップ ,  不動態化 ,  チャネル ,  変調ドーピング ,  金属酸化物薄膜 ,  トランジスタ