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J-GLOBAL ID：201702270568138873   整理番号：17A0204194

選択領域成長させたp-GaNゲートを用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】

AlGaN/GaN high electron mobility transistors with selective area grown p-GaN gates

著者 (9件)： Huang Yuliang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Lian (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Cheng Zhe (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Ai Yujie (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Yongbing (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Hongxi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Junxi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Jinmin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 11  ページ： 114002-1-114002-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相堆積によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のp-GaNゲートを定義するために選択領域成長(SAG)法を報告する。SchottkyゲートH EMTと比較して,SAG p-GaNゲートH EMTはより正のしきい値電圧(V(th))と良好なゲート制御能力を示した。AlGaN/GaNH EMTのSAG p-GaNゲートのCp_2Mgフラックスの影響も研究した。0.16μmol/minから0.20μmol/minに増加するCp_2Mgにより,V(th)は 0.67Vから 0.37Vに上昇させる10Vのドレイン電圧におけるSAG EMTの最大相互コンダクタンスは113.9mS/mmであり,Schottky EMTの値は51.6mS/mmである。SAG法はドライエッチング損傷無しでp-GaNゲートノーマリーオフAlGaN/GaNH EMTを達成するための有望な道を開くものである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  相互コンダクタンス ,  *窒化ガリウム ,  ドライエッチング ,  *HEMT ,  電圧
準シソーラス用語： ノーマリーオフ ,  ゲート制御 ,  閾値電圧 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN ,  選択領域成長 ,  ノーマリーオフ ,  H EMT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 領域成長 ,  GaN ,  ゲート ,  AlGaN ,  高電子移動度トランジスタ