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J-GLOBAL ID：201702270577597664   整理番号：17A0442097

単層カーボンナノチューブアレイ成長狭い直径分布のためのAl_2O_3触媒の原子層堆積【Powered by NICT】

Atomic layer deposition of Al₂O₃ catalysts for narrow diameter distributed single-walled carbon nanotube arrays growth

著者 (11件)： Tang Lei (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Tang Lei (School of Sciences, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Zhang Qichong (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Li Chaowei (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Li Chaowei (School of Sciences, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Wang Xiaona (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Zhang Kai (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Xu Yancui (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Li Taotao (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Fang Jianhui (School of Sciences, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Yao Yagang (Division of Advanced Nanomaterials, Key Laboratory of Nanodevices and Applications, CAS Center for Excellence in Nanoscience, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 114  ページ： 224-229  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一サイズ触媒の重要性と残留金属触媒の好ましくない効果を考慮して,ここで,典型的な容易な半導体技術すなわち原子層蒸着(A LD)が,狭い直径の単層カーボンナノチューブ(SWNT)アレイ成長のための非金属Al_2O_3触媒を調製することを利用する容易な方法を開発した。その結果,a面サファイア基板上に1.26±0.033nmの狭い直径分布を持つSWNTアレイを得た。さらに,触媒とSWNTとの間の関係を調べた。にこれらの最適条件はSWNT成長における狭い直径もキラリティー分布,SWNTの構造制御と相対的応用の開発を促進するための道を開く。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属触媒 ,  t分布 ,  *触媒 ,  最適条件 ,  *単層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： 構造制御 ,  サファイア基板 ,  *直径分布 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層堆積 ,  Al_2O_3触媒 ,  狭い直径分布 ,  単層カーボンナノチューブアレイ

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層カーボンナノチューブ ,  アレイ ,  成長 ,  直径分布 ,  触媒 ,  原子層堆積