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J-GLOBAL ID：201702270756318410   整理番号：17A0204189

3D統合システムにおける増強された信号の完全性のための新しいシリコン貫通ビア【Powered by NICT】

Novel through-silicon vias for enhanced signal integrity in 3D integrated systems

著者 (4件)： Fang Runiu (Peking University) ,  Sun Xin (Academy of Information Science Innovation China Electronics Technology Group Corporation) ,  Miao Min (Institute of Information Microsystem, Beijing Information Science & Technology University) ,  Jin Yufeng (Peking University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 10  ページ： 106002-1-106002-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,バイア-第一プロセスすなわち裸TSVのための新型たスルーシリコンビア(TSV)の,先端技術ノードのための3D統合システムにおける雑音結合問題を軽減する目的で提案し,解析した。裸TSVは絶縁層を持たない,二種類:裸の信号TSVと裸地TSVに分けられる。第一に,円筒P-N接合のためのPoisson方程式を解くことにより,裸の信号TSVをシミュレーション結果に従って従来の信号TSVと等価であることを示した。従来の地上TSVと比較した場合,裸地TSVは改善された騒音吸収能力を持つことを証明した。,提案した裸のTSVは他の雑音分離法よりも回路への多くの利点を提供し,元の回路設計,ルーティングと配置は,裸のTSVの適用後に保持されるからである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音 ,  静電容量 ,  Poisson方程式 ,  *集中方式 ,  回路設計 ,  シミュレーション ,  *完全性 ,  経路選定 ,  騒音 ,  円筒 ,  *三次元 ,  通信操作
準シソーラス用語： 吸収能力 ,  裸地 ,  絶縁層 ,  *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコン貫通ビア ,  クロストーク ,  MOS静電容量 ,  Poisson方程式

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  統合システム ,  増強 ,  完全性 ,  シリコン貫通ビア