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J-GLOBAL ID：201702270767089184   整理番号：17A0329060

ワイヤボンディング組立とIMC成長挙動におけるAu/Al,Cu/AlおよびAg/Alの比較【Powered by NICT】

Comparison of Au/Al, Cu/Al and Ag/Al in wirebonding assembly and IMC growth behavior

著者 (2件)： Jaafar Norhanani Binte (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Fusionopolis Two, 2 Fusionopolis Way, Singapore 138634) ,  Ching Eva Wai Leong (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Fusionopolis Two, 2 Fusionopolis Way, Singapore 138634)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 10-12  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,半導体パッケージングはチップリードフレームまたはから基板への主要な接続として金(Au)ワイヤボンディングを使用することである。Au価格の増加は,供給者はそのような銅(Cu)ワイヤとしてもう一つのワイヤ合金に注目した。Cuワイヤはもう一つの代替案よりもむしろCuによるAuワイヤはより高い引張強さ,良好な伸びおよび電気伝導率と熱伝導率を持っている。Cuワイヤはボール形成過程[1],高ループ安定性と高い剛性後顕著なボール頚部強度,カプセル封じ中のワイヤスイープを。これらは長く,低いループプロファイル[2]と微細および超微細ピッチワイヤボンディング応用のためのワイヤたるみを最小化できるCuワイヤをもたらすであろう。ワイヤボンディングのためのもう一つの提案した合金は銀(Ag)ワイヤであった。Agは三種類のワイヤ材料のと比較して最良の電気伝導率と熱伝導率を有していた。AgワイヤはCuと比較して低Young率を有しており,ワイヤボンディングにおけるAuワイヤを置換するためのもう一つの選択肢である。本論文では,結合品質を比較することで合金線の三種類を論じた。ボールせん断測定を比較することにより個々の欠点と利点を含んでいる。結合後のシリコンチップ表面はそれぞれのワイヤタイプのボールせん断後に発生したボンドパッド表面上で観察された亀裂を確認するために検討する予定である。三種類のワイヤのIMC成長0時間504時間175°Cで行う予定であるが議論され,結合界面は,高出力光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観測されるであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銀 ,  *銅 ,  熱伝導率 ,  *金 ,  Young率 ,  引張強さ ,  *金属線 ,  走査電子顕微鏡 ,  伸び ,  *ワイヤボンディング ,  界面 ,  剛性 ,  剪断 ,  電気伝導率 ,  高出力 ,  機械的性質 ,  強度

分類 (1件)： その他の紡糸・製糸  (YM03050G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ワイヤボンディング ,  組立 ,  成長 ,  挙動 ,  Au ,  Al ,  Cu ,  Ag