Ahn Hyun Jun について
Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea について
Moon Jungmin について
Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea について
Koh Sungho について
Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea について
Seo Yujin について
Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea について
Kim Choong-Ki について
Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea について
Rho Il Cheol について
, SK Hynix Semiconductor Inc., Cheongju, South Korea について
Kim Choon Hwan について
, SK Hynix Semiconductor Inc., Cheongju, South Korea について
Hwang Wan Sik について
Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, South Korea について
Cho Byung Jin について
Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea について
IEEE Transactions on Electron Devices について
絶縁膜 について
誘電体薄膜 について
仕事関数 について
化学蒸着 について
単原子層 について
エルビウム化合物 について
炭化物 について
ゲート【半導体】 について
N型半導体 について
MOSFET について
酸化ハフニウム について
Fermi準位 について
ピン止め について
ランタノイド について
熱安定性 について
熱重量分析 について
示差走査熱量測定 について
X線回折 について
高k誘電体 について
ALD【蒸着】 について
金属ゲート について
nMOSFET について
Fermiピン止め について
固体デバイス材料 について
固体デバイス製造技術一般 について
高k誘電体 について
仕事関数 について
ALD について
炭化 について
エルビウム について
金属電極 について