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J-GLOBAL ID：201702270783864485   整理番号：17A0025968

高K誘電体上の非常に低い仕事関数のALD-炭化エルビウム(ErC₂)金属電極

Very Low-Work-Function ALD-Erbium Carbide (ErC₂) Metal Electrode on High- $K$ Dielectrics

著者 (9件)： Ahn Hyun Jun (Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Moon Jungmin (Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Koh Sungho (Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Seo Yujin (Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Kim Choong-Ki (Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Rho Il Cheol (, SK Hynix Semiconductor Inc., Cheongju, South Korea) ,  Kim Choon Hwan (, SK Hynix Semiconductor Inc., Cheongju, South Korea) ,  Hwang Wan Sik (Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, South Korea) ,  Cho Byung Jin (Electrical Engineering Department, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 7  ページ： 2858-2863  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)により作製した炭化エルビウム(ErC₂)を,nMOSFETに対する新しい仕事関数(WF)金属として,初めてうまく実証した。作製したErC₂は,HfO₂上で3.9eVの低さの非常に低い実効WF(eWF)と優れた熱安定性を示した。さらに,高温アニール後でも,それは,高k誘電体上で著しいフェルミ準位ピン止めを示さなかった。ErC₂の低いeWFはランタニド族の特性に由来するが,その良好な熱安定性は炭化金属の特性に起因する。ALD-ErC₂は,他の堆積法よりも優れた共形性を持ち,三次元構造デバイスに対する強力な候補である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  仕事関数 ,  *化学蒸着 ,  単原子層 ,  *エルビウム化合物 ,  *炭化物 ,  *ゲート【半導体】 ,  N型半導体 ,  MOSFET ,  酸化ハフニウム ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  ランタノイド ,  熱安定性 ,  熱重量分析 ,  示差走査熱量測定 ,  X線回折
準シソーラス用語： *高k誘電体 ,  *ALD【蒸着】 ,  *金属ゲート ,  nMOSFET ,  Fermiピン止め

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高k誘電体 ,  仕事関数 ,  ALD ,  炭化 ,  エルビウム ,  金属電極