文献

J-GLOBAL ID：201702270809934000   整理番号：17A0388503

メチルアンモニウム鉛ハロゲン化物ペロブスカイトにおける直接型バンドギャップ転移への間接的【Powered by NICT】

Indirect to direct bandgap transition in methylammonium lead halide perovskite

著者 (7件)： Wang Tianyi (Center for Nanophotonics, FOM Institute AMOLF, Science Park 104, 1098 XG Amsterdam, The Netherlands. [e-mail]) ,  Daiber Benjamin ,  Frost Jarvist M. ,  Mann Sander A. ,  Garnett Erik C. ,  Walsh Aron ,  Ehrler Bruno
資料名： Energy & Environmental Science  (Energy & Environmental Science)
巻： 10  号： 2  ページ： 509-515  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2306A  ISSN： 1754-5692  CODEN： EESNBY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メチルアンモニウム鉛ヨウ化物ペロブスカイトは直接バンドギャップ半導体と考えられている。ここでは,実際にそれらは直接バンドギャップ遷移の下60meV弱い間接バンドギャップを持つことを示した。これは伝導バンドのRashba分裂をもたらすスピン-軌道結合の結果である。バンドギャップの間接的性質は強い吸収と長い電荷キャリア寿命の見かけの矛盾を説明した。周囲からの静水圧下で325MPaに,Rashba分裂は,Pb原子の周りの局所電場における圧力誘起還元により減少した。バンドギャップの性質がより直接的になり,五倍速い電荷キャリア再結合と放射効率は2倍になった。325MPa以上の静水圧下で,MAPIは純粋に直接バンドギャップ半導体を起す可逆的相転移を受ける。圧力誘起変化は高効率オプトエレクトロニクスデバイスへのエピタキシャルおよび合成経路を示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヨウ化物 ,  放射効率 ,  伝導バンド ,  *鉛 ,  半導体 ,  電荷 ,  *バンドギャップ ,  キャリア再結合 ,  静水圧 ,  電荷キャリア ,  間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (6件)： メチルアンモニウム ,  鉛 ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト ,  バンドギャップ ,  間接