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J-GLOBAL ID：201702270863853219   整理番号：17A0750112

不動態化裏面接触トンネル酸化物を用いたスクリーン印刷前面接合CZシリコン太陽電池の可能性モデル化【Powered by NICT】

Modeling the potential of screen printed front junction CZ silicon solar cell with tunnel oxide passivated back contact

著者 (9件)： Chen Chia-Wei (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Hermle Martin (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Germany) ,  Benick Jan (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems, Germany) ,  Tao Yuguo (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Ok Young-Woo (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Upadhyaya Ajay (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Tam Andrew M. (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Rohatgi Ajeet (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA, 30332-0250, USA) ,  Rohatgi Ajeet (Suniva Inc., 5765 Peachtree Industrial Blvd., Norcross, GA, 30092, USA)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 25  号： 1  ページ： 49-57  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-Si吸収体の頂部上の薄い酸化物,n+多結晶Siと金属からなるキャリア選択的不動態化接触は接触下での再結合電流密度(J_orear≦8fA/cm~2)を有意に低下させることができる優れた比接触抵抗(5 10mΩcm~2)を提供しながらほう素ドープ選択的エミッターとFzウエハ上にフォトリソグラフィーフロントコンタクトを持つ効率25.1%の小面積細胞はトンネル酸化物不動態化接触(TOPCon)アプローチを用いたFraunhofer ISEによって達成された。Sentaurusデバイスモデルを用いて,そのような不動態化接触細胞,TOPCon領域の測定J_orear並びに細胞の全光IV値に適合するようにキャリア選択的電子と正孔の再結合速度によるTOPCon領域の取り替えを伴うをモデル化する方法を示した。は最初の24.9%参照セルモデリングによる方法論を検証した。モデルを用いて,スクリーン印刷されたフロントコンタクトを有する工業用n型Cz材料上の大面積TOPCon電池の効率可能性を評価するために拡張した。現実的な入力パラメータを使用するために,21%n型PERT電池はCzウエハ(5Ω-cm,1.5ms寿命)上に作製した。モデリングはこの細胞の背面は上記TOPConにより置換されると,性能は均一なエミッタによって制限されるならば,電池効率はわずか21.6%に改善することを示した。効率を,モデル化して選択的エミッタ(150/20 Ω/sq)の実施により22.6%に改善した。最後に,40μm幅の線のスクリーン印刷と改善されたバルク材料(10Ω-cm,ms寿命)は,単一側TOPCon Cz電池効率を23.2%にできることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  *スクリーン印刷 ,  正孔 ,  ポリシリコン ,  *不動態化 ,  *酸化物 ,  ドーピング ,  *モデリング ,  再結合 ,  固体素子モデル ,  吸収体 ,  *電池
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  *シリコン太陽電池 ,  大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： n型太陽電池 ,  不動態化した接触 ,  poly-Si ,  トンネル酸化物 ,  Sentaurusモデル

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 不動態化 ,  裏面接触 ,  トンネル ,  酸化物 ,  スクリーン印刷 ,  前面 ,  シリコン太陽電池 ,  可能性 ,  モデル化