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J-GLOBAL ID：201702271084170467   整理番号：17A0665151

イオンビームを用いたサファイア合成に及ぼす垂直Al_2Se_3/MoSe_2ヘテロ接合【Powered by NICT】

Vertical Al₂Se₃/MoSe₂ heterojunction on sapphire synthesized using ion beam

著者 (9件)： Tsai Hsu-Sheng (Institute of Nuclear Engineering and Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan, Republic of China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liou Jhe-Wei ,  Wang Yi-Chung ,  Chen Chia-Wei ,  Chueh Yu-Lun ,  Hsiao Ching-Hung ,  Ouyang Hao ,  Woon Wei-Yen ,  Liang Jenq-Horng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 17  ページ： 10154-10157  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上の垂直Al_2Se_3/MoSe_2ヘテロ接合は,最初のイオンビーム支援プロセスにより作製した。MoSe_2はMoセレン化を介して形成されたが,Al_2Se_3はサファイア中のOのSe置換により生成した。このヘテロ接合の応用は今後開発されるであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モリブデン ,  *イオンビーム ,  *サファイア ,  *セレン ,  *ヘテロ接合 ,  アルミニウム
準シソーラス用語： セレン化反応 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンビーム ,  サファイア ,  垂直 ,  ヘテロ接合