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J-GLOBAL ID：201702271169282579   整理番号：17A0118180

AlGaN/GaNH FETはに埋め込まれたGaNマイクロカンチレバーに基づく電位差測定センサ【Powered by NICT】

AlGaN/GaN HFET embedded GaN microcantilevers based potentiometric sensor

著者 (4件)： Bayram Ferhat (Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA) ,  Khan Digangana (Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA) ,  Kim Soaram (Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA) ,  Koley Goutam (Holcombe Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)埋め込みGaN piezotransistiveマイクロカンチレバーは電位差測定センサとして使用した。カンチレバーチップと金属電極との間の10mV電位差は片持梁共振周波数で測定することに成功した。さらに,低圧でのカンチレバーの品質因子増強を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振周波数 ,  ヘテロ接合 ,  低圧 ,  FET【トランジスタ】 ,  *電位差測定法 ,  片持梁 ,  *センサ ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 品質因子 ,  *電位差 ,  金属電極 ,  HFET ,  *AlGaN/GaN ,  *マイクロカンチレバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  FET ,  GaN ,  マイクロカンチレバー ,  電位差 ,  測定センサ