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J-GLOBAL ID：201702271249018293   整理番号：17A0850619

Au/p Cu-2ZnSnS_4/GaNヘテロ接合の微細構造,電気的及び周波数依存特性【Powered by NICT】

Microstructural, electrical and frequency-dependent properties of Au/p-Cu₂ZnSnS₄/n-GaN heterojunction

著者 (4件)： Rajagopal Reddy V. (Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati 517 502, India) ,  Janardhanam V. (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea) ,  Won Jonghan (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, Republic of Korea) ,  Choi Chel-Jong (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 499  ページ： 180-188  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/Cu_2ZnSnS_4(CZTS)/n-GaNヘテロ接合(HJ)はCZTS中間層を持つ作製し,XPS,TEM,I-VおよびC-V測定によってその化学状態,構造的,電気的および周波数依存特性を調べた。XPSとTEMの結果は,CZTS膜はn-GaN表面上に形成されることを確認した。堆積したCZTS膜のバンドギャップは1.55eVであることが分かった。HJの電気的性質は,Au/n-GaN Schottky接合(SJ)と相関した。Au/CZTS/n GaN HJはAu/n-GaN SJ(0.69eV)に比べて高い障壁高さ(0.82eV)と良好な整流性質,障壁高さはCZTS中間層による影響であることを示唆することを明らかにした。I-V(Cheung法ならびにNorde関数により評価した障壁高さの値は他とよく一致し,ここで用いた方法は信頼でき,有効である。Au/CZTS/n GaN HJの抽出した界面状態密度(N_SS)はCZTS層間N_SSの還元において重要な役割を果たすを示唆するAu/n-GaN SJに比べて低い。さらに,SJとHJの容量-周波数(C f)およびコンダクタンス-周波数(G f)特性が1kHz~1MHzの範囲で測定し,静電容量とコンダクタンスは周波数に依存strappinglyことを見出した。C-fおよびG-f特性から推定したN_SSであるI-V特性から推定したものと比較して低いことが分かった。分析は,Poole-Frenkel放出がSJとHJ,おそらくCZTS中間層中の構造欠陥とトラップ準位に関係する逆方向漏れ電流を支配することを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  静電容量 ,  バンドギャップ ,  *ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  電気的性質 ,  *微細構造 ,  *周波数 ,  *周波数依存性 ,  コンダクタンス ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 界面状態密度 ,  障壁高さ ,  中間層 ,  CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： p Cu_2ZnSnS_4 ,  化学的性質 ,  p-GaN ,  ヘテロ接合 ,  電気的性質 ,  周波数依存特性 ,  輸送特性

分類 (5件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  塩  (CD01050V) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： Au ,  Cu ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  微細構造 ,  周波数依存