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J-GLOBAL ID：201702271338658549   整理番号：17A0352477

ステップ誘起競合する磁気異方性によるFe/Si(557)膜の調整可能な面内スピン整列【Powered by NICT】

Tunable in-plane spin orientation in Fe/Si (557) film by step-induced competing magnetic anisotropies

著者 (8件)： Tang Jin (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  He Wei (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yongsheng (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Yan (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Wei (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ahmad Syed Sheraz (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Xiangqun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Cheng Zhaohua (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 127501-1-127501-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe/Si膜における面外から面内へのスピン再配列転移は広く報告されているが,面内スピン配向の調整は,まだよく開発されていない。ここでは,Fe/Si(557)膜の厚さ,温度とCu adsorptioninduced面内スピン再配列転移過程,二つの競合ステップ誘起一軸磁気異方性,すなわち,ステップに平行な磁化容易軸を持つ段階と体積磁気異方性に垂直な磁化容易軸を持つ表面磁気異方性の共存に起因することを報告した。32単分子層(ML)より小さいFe膜厚では,種々の温度での二つの効果の大きさは一軸磁気異方性の厚さ依存性から抽出した。32ML以上のFe膜厚では,フィッティング結果からの実験結果の偏差は体積磁気異方性の歪解放誘導還元により理解されていない。さらに,表面および体積磁気異方性はFe/Si(557)膜上のCuキャッピング層を被覆後に大きく減少の両方がステップ誘起磁気異方性に及ぼすNaClキャッピング層の顕著な影響は観察されなかった。実験結果は,ここでFe/Si膜の面内スピン配向を操作するための種々の実用的な方法を提供し,ステップ誘起磁気異方性の理解を改善を報告した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スピン整列 ,  被覆 ,  単分子層 ,  スピン再配列 ,  塩化ナトリウム ,  *鉄 ,  *ケイ素 ,  一軸磁気異方性 ,  膜厚 ,  *磁気異方性 ,  銅
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  厚み依存性 ,  磁化容易軸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Fe/Si(557)膜 ,  スピン再配列転移 ,  競合する磁気異方性

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘起 ,  競合 ,  磁気異方性 ,  Fe ,  Si ,  スピン整列