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J-GLOBAL ID:201702271520393631   整理番号:17A0855326

強い相分離した二波長InGaN/GaNナノ柱LEDの直径に依存した光ルミネセンス特性【Powered by NICT】

Diameter-dependent photoluminescence properties of strong phase-separated dual-wavelength InGaN/GaN nanopillar LEDs
著者 (9件):
資料名:
巻: 410  ページ: 196-200  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,同じNP密度と種々のNP直径と強い相分離した青/緑波長InGaN/GaNナノピラー(NP)発光ダイオード(LED)を集束イオンビームエッチングを用いて作製した。顕微Raman分光法を用いて,多重量子井戸(MQW)における歪緩和に及ぼすNP直径の影響を示すために使用した。強い相分離した二波長InGaN/GaN NP LEDの光学的挙動に及ぼすNP直径の影響をマイクロ光ルミネセンス(PL)分光法を用いて初めて研究した。NP LEDのPLピークエネルギーの青方偏移は,より小さな直径を有するNP LEDは多重量子井戸の大きな歪緩和を示し,顕微Raman結果により確認された。また緑色発光のブルーシフトした青色発光のそれよりも小さかった。NPアレイからの全積分PL強度は増加した再結合速度と光抽出効率のために,成長したままの試料と比較して向上した。増強因子は実験,活性体積の損失は増加した再結合速度と光抽出効率に比べてNP LEDの発光効率を支配したことを示したがNP直径の減少と共に減少した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (4件):
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光化学一般  ,  その他の触媒  ,  原子・分子のクラスタ  ,  半導体薄膜 

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