文献

J-GLOBAL ID：201702271538932551   整理番号：17A0218794

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)-二硫化モリブデン膜トランジスタに基づくアンモニアガスセンサー

Ammonia gas sensors based on poly (3-hexylthiophene)-molybdenum disulfide film transistors

著者 (6件)： XIE Tao (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  XIE Guangzhong (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  SU Yuanjie (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  HONGFEI Du (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  YE Zongbiao (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China (UESTC), Chengdu, CHN) ,  JIANG Yadong (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China (UESTC), Chengdu, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 6  ページ： 065502,1-9  発行年： 2016年02月12日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,NH₃検出を目的とした有機薄膜トランジスタ(OTFT)の活性層として,スプレー法により,ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)/MoS₂二層膜,MoS₂/P3HT二層膜およびP3HT-MoS₂複合膜を作製した。そして,走査型電子顕微鏡法,X線回折,ラマン散乱およびUV-可視吸収スペクトルを用いて,作製した膜の特性評価を行った。さらに,著者らは,電子特性およびガスセンシング特性といった,OTFTガスセンサーの性能を示した。また,系統的な実験および理論解析に基づき,膜の形態およびOTFTガスセンサーのセンシング特性に与える単層MoS₂の影響を調べた。その結果,P3HT-MoS₂複合膜に基づくOTFTガスセンサーでは,NH₃検出に対して,短い回復時間を示した。これは,MoS₂をドープすることを理由として,層間のd面間隔の近さ,P3HT鎖のより良好なπ-π積層に起因する。さらに,キャリアガスとして乾燥空気および窒素ガスを用いて,センシングメカニズムを調べた。その結果,NH₃とP3HTの相互作用において,酸素分子が役割を担うことを示した。これは,空気が,キャリアガスとして優れていることを示した。

シソーラス用語： *ガスセンサ ,  *アンモニア ,  *薄膜トランジスタ ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *硫化モリブデン ,  *多層膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  Raman散乱 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *高分子有機-無機ハイブリッド ,  ドーピング ,  キャリアガス ,  酸素
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  *二層膜 ,  走査型電子顕微鏡

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  硫化 ,  モリブデン膜 ,  トランジスタ ,  アンモニア ,  ガスセンサー