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J-GLOBAL ID：201702271583300318   整理番号：17A0885739

シリコンベース不斉縦型ナノワイヤ光検出器の光学的特性【Powered by NICT】

Optical Characteristics of Silicon-Based Asymmetric Vertical Nanowire Photodetectors

著者 (4件)： Yoon Jun-Sik (Department of Creative IT Engineering and Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Kim Kihyun (Department of Creative IT Engineering and Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Meyyappan M. (NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA, USA) ,  Baek Chang-Ki (Department of Creative IT Engineering and Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2261-2266  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンベースの垂直ナノワイヤ(NW)光検出器(PD)の波長選択吸収現象は,三次元数値シミュレーションを用いて調べた。シリコンNWとその周囲材料の間の屈折率の違いは,非対称と同様に対称構造物のためのいくつかのspecificwavelengthsで直径依存導波路効果を誘導する。しかし上面と底面の間の直径の大きな差を持つ非対称北西PDは導波路効果の損失を示した。全てNWPDsはNWの高さを増加すると高い外部量子効率(EQE)ピークを達成した。北西ピッチを減少またはNW密度の増加もawide範囲ofwavelengthsのEQEピーク値を増加させるが,密に充填されたNWは,最も近いNWの間の高い結合を誘導し,このため波長選択特性を失う。わずかに底部広い非対称構造を有する垂直NW PDは,狭い上部と広い底部シリコンNW断面積のために入射光の反射率と透過率を減少させ,それぞれ,より高いEQEを達成した。底広い非対称北西PDである光学特性を向上させるだけでなく,光センサ応用のための導波路特性を維持するために有望である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反射率 ,  屈折率 ,  *ナノワイヤ ,  透過率 ,  導波路 ,  非対称性 ,  *光検出器 ,  光センサ ,  対称性 ,  *光学的性質 ,  シミュレーション ,  ピーク値 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 入射光 ,  非対称構造 ,  波長選択 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  縦型 ,  ナノワイヤ ,  光検出器 ,  光学的特性