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J-GLOBAL ID：201702271584033650   整理番号：17A0353503

単結晶炭化ケイ素とサファイア基板化学機械研磨の表面反応層形成機構の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Review on formation mechanism of chemical reaction layer during chemical mechanical polishing of monocrystalline SiC and sapphire substrates

著者 (2件)： Gan Yang (School of Chemistry and Chemical Engineering, Harbin Institute of Technology) ,  Zhang Feihu (Manufacturing Engineering for Aviation and Aerospace, School of Mechatronics Engineering, Harbin Institute of Technology)
資料名： Kexue Tongbao  (Kexue Tongbao)
巻： 61  号： 36  ページ： 3930-3939  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2016A  ISSN： 0023-074X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素とサファイア単結晶は重要な空間光学材料であり、高輝度発光材料の主材料であり、それらの高品質化学機械研磨(CMP)加工を実現し、高化学安定性基材の超平滑加工過程の材料除去メカニズムを深く理解する必要がある。一つの挑戦的な問題は力学-化学結合作用の下で表面反応層の形成メカニズムである。本論文では,反応層の形成機構の研究進展といくつかの問題をレビューし,表面反応層の熱力学的機構と動力学的挙動,CMP加工モデルウエハシステムの確立,表面反応層の構造と組成特性,研究結果の比較可能性などを含むいくつかの問題をレビューした。また、いくつかの後続研究の突破点を提出し、例えば、表面構造制御可能なCMP加工モデルを設計・構築し、表面層形成の化学反応速度を確定し、カップリング化学反応過程と拡散過程を確定した。本論文では、特に学際的交差研究方法の重要性を強調し、材料の表面構造及び欠陥の制御と特性化、表の界面構造と組成分析、化学反応機構の研究及び表面とコロイド化学の非接触力の測定研究を提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面構造 ,  *化学機械研磨 ,  *サファイア ,  表層 ,  キャラクタリゼーション ,  熱力学 ,  *単結晶 ,  化学反応 ,  *表面反応 ,  *炭化ケイ素 ,  拡散過程
準シソーラス用語： 界面構造 ,  材料除去 ,  *形成機構 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： sapphire ,  SiC monocrystalline ,  chemical mechanical polishing ,  surface reaction layer ,  surface characterization

分類 (1件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単結晶 ,  炭化ケイ素 ,  サファイア基板 ,  化学機械研磨 ,  表面反応 ,  層形成 ,  研究 ,  進展