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J-GLOBAL ID：201702271648324483   整理番号：17A0470350

逐次イオンビーム照射と陽極エッチングによって作製した階層的シリコン構造の形成機構の研究【Powered by NICT】

Study of the formation mechanism of hierarchical silicon structures produced by sequential ion beam irradiation and anodic etching

著者 (11件)： Punzon-Quijorna Esther (Departamento de Fisica Aplicada e Instituto de Ciencia de Materiales Nicolas Cabrera, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain) ,  Punzon-Quijorna Esther (Centro de Microanalisis de Materiales (CMAM), Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain) ,  Kajari-Shroder Sarah (Institut fuer Solarenergieforschung Hameln (ISFH), 31860, Emmerthal, Germany) ,  Agullo-Rueda Fernando (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC), 28049 Madrid, Spain) ,  Manso Silvan Miguel (Departamento de Fisica Aplicada e Instituto de Ciencia de Materiales Nicolas Cabrera, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain) ,  Martin-Palma Raul Jose (Departamento de Fisica Aplicada e Instituto de Ciencia de Materiales Nicolas Cabrera, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain) ,  Herrero Fernandez Pilar (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC), 28049 Madrid, Spain) ,  Torres-Costa Vicente (Departamento de Fisica Aplicada e Instituto de Ciencia de Materiales Nicolas Cabrera, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain) ,  Torres-Costa Vicente (Centro de Microanalisis de Materiales (CMAM), Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain) ,  Climent-Font Aurelio (Departamento de Fisica Aplicada e Instituto de Ciencia de Materiales Nicolas Cabrera, Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain) ,  Climent-Font Aurelio (Centro de Microanalisis de Materiales (CMAM), Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 138  ページ： 238-243  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造(多孔質)Si(NPSi)とバルクSiを組み合わせたマイクロパターンの形成は,選択的な高エネルギーイオン照射と陽極エッチングの逐次プロセスによって誘起される。本研究では,照射領域のSi抵抗の増加の微細構造起源であり,陽極酸化にNPSi形成の阻害の原因を調べた。可変フルエンスでの照射後のSi抵抗率の増加は電流電圧(I V)特性から明らかにした。1.5 20MeVのSiイオンを照射したSi界面の微細構造について,チャンネリング配置,Raman分光および高分解能透過型電子顕微鏡における弾性後方散乱実験によって明らかにした。NPSi形成の阻害は非晶質化を意味しないことをフルエンスで誘導されると結論した。事実,電気化学的容量-電圧測定の解析は,格子破壊のしきい値以下のフルエンスで,正孔の濃度は注入したSiイオンの最大損傷収率の位置に適合する深さでの劇的な減少に苦しんでいることを示唆した。これらの結果は,階層的Si構造の形成の原因となるメカニズムは,照射領域における局所Bドーパント不活性化であることを示唆する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーパント ,  電気抵抗率 ,  *ケイ素 ,  電気化学 ,  界面 ,  弾性 ,  チャネリング ,  アノード酸化 ,  ナノ構造 ,  *イオン照射 ,  Raman分光法 ,  フルエンス ,  多孔性 ,  アモルファス化
準シソーラス用語： HRTEM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノ構造シリコン ,  高エネルギーイオン照射 ,  陽極酸化 ,  階層構造 ,  電荷キャリア不活性化

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオンビーム照射 ,  陽極 ,  エッチング ,  作製 ,  シリコン ,  研究