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J-GLOBAL ID:201702271759081053   整理番号:17A0408352

神経再生のためのヒアルロン酸をドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/キトサン/ゼラチン(PEDOT HA/Cs/Gel)多孔質導電性足場【Powered by NICT】

Hyaluronic acid doped-poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/chitosan/gelatin (PEDOT-HA/Cs/Gel) porous conductive scaffold for nerve regeneration
著者 (6件):
資料名:
巻: 71  ページ: 308-316  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0574A  ISSN: 0928-4931  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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「スマート」生体材料として,導電性高分子は,神経組織再生のための組織工学足場を構築するためにますます使用されている。本研究では,新規な多孔性導電性足場は,キトサン/ゼラチン(Cs/Gel)マトリックス中に導電性ヒアルロン酸(HA)をドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT HA)ナノ粒子を組み込むことによって調製した。0~10wt%PEDOT HAとCs/Gel足場の物理化学的特性を分析し,その結果は,足場へのPEDOT HAの取込は,電気的および機械的性質を増加した気孔率および水吸収を減少させることを示した。足場displaidのin vitro生物分解は,PEDOT HA含有量の減少傾向は増加した。導電性足場の生体適合性について,ニューロン様ラットクロム親和細胞腫(PC12)細胞は,細胞接着と成長を評価するために足場で培養した。8%PEDOT HA/Cs/Gel足場は,他の導電性足場よりも高い細胞接着効率と細胞生存率を持っていた。さらに,8wt%PEDOT HA足場の細胞はCs/Gel対照群と比較してGAP43とSYPの高いシナプス成長遺伝子を発現した。これらの結果は,8%PEDOT HA/Cs/Gel足場は,神経組織再生への応用のための細胞接着,生存,増殖およびシナプス成長を支持することができる魅力的な細胞培養導電性基質であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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医用素材 

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