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J-GLOBAL ID：201702271855860065   整理番号：17A0807204

室温でダイヤモンド薄膜上に立方晶窒化ホウ素薄膜を堆積させた。【JST・京大機械翻訳】

Study on the c-BN Films Deposited on Diamond Films at Room Temperature

著者 (6件)： FENG Jian (Department of Electronic Information Material,School of Material Science and Engineering, Shanghai University) ,  XU Run (Department of Electronic Information Material,School of Material Science and Engineering, Shanghai University) ,  TANG Min-yan (Department of Electronic Information Material,School of Material Science and Engineering, Shanghai University) ,  ZHANG Xu (Department of Electronic Information Material,School of Material Science and Engineering, Shanghai University) ,  LE Yong-kang (Department of Physics, Fudan University) ,  WANG Lin-jun (Department of Electronic Information Material,School of Material Science and Engineering, Shanghai University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 38  号： 5  ページ： 1083-1087  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素(C-BN)薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリングによって,ナノ-ダイヤモンド薄膜上に調製した。ダイヤモンド薄膜をRAMAN分光法(RAMAN)と原子間力顕微鏡(AFM)によって特性評価した。C-BN薄膜の成長に及ぼす種々の蒸着温度の影響をFOURIER変換赤外分光法(FTIR)を用いて研究し,C-BNの成長温度は室温ではなく,室温で成長したC-BNの含有量は70%以上であることが判明した。蒸着温度が室温から上昇すると,ナノ結晶ダイヤモンド薄膜の成長したBN薄膜において,立方晶の含有量は減少した。さらに,蒸着温度の低下とともに,C-BNのピーク位置は低周波数方向にシフトし,C-BN薄膜の応力は低温で成長することを示した。本文では、この現象の原因を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  窒化ケイ素 ,  LF【周波数】 ,  赤外分光法 ,  *薄膜 ,  低温 ,  原子間力顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 成長温度 ,  蒸着温度 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *CBN【セラミック】 ,  *ダイヤモンド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： BN thin film ,  diamond film ,  radio frequency magnetron sputtering

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  立方晶窒化ホウ素 ,  薄膜 ,  堆積