文献

J-GLOBAL ID：201702272067651193   整理番号：17A0702827

グラフェン気泡とその役割グラフェン量子輸送【Powered by NICT】

Graphene bubbles and their role in graphene quantum transport

著者 (8件)： Leconte Nicolas (Department of Physics, University of Seoul, Seoul 02504, Korea. [e-mail]) ,  Kim Hakseong ,  Kim Ho-Jong ,  Ha Dong Han ,  Watanabe Kenji ,  Taniguchi Takashi ,  Jung Jeil ,  Jung Suyong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 18  ページ： 6041-6047  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンおよび他の層状二次元材料であるvan der Waalsヘテロ構造として垂直に積層したときグラフェンの気泡が形成された。,グラフェン気泡とその関連疾患は外部磁場の存在下および非存在下におけるグラフェンの量子輸送挙動にどのように影響するか調べた。実験観察と数値シミュレーションを組み合わせることにより,著者らはグラフェン泡によって誘発された障害は主にp型ドーパントとグラフェンにおける電荷輸送は2%以下の小型気泡被覆率でも長および短距離散乱による気泡の存在によって影響されることを見出した。気泡密度の増加により,キャリア移動度の全体的減少,および電子キャリア側第二Dirac点の出現を観測した。高磁場では,グラフェン気泡からの障害は主として最低Landau準位の量子化に影響し,高い電荷キャリア密度での新しいDirac円錐に関連した量子H all特徴をもたらした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 散乱 ,  二次元 ,  Landau準位 ,  ドーパント ,  *グラフェン ,  キャリア移動度 ,  量子化 ,  *気泡 ,  強磁場
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  Dirac点 ,  電荷輸送 ,  数値シミュレーション ,  ヘテロ構造 ,  *量子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  気泡 ,  役割 ,  量子輸送