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J-GLOBAL ID：201702272114306029   整理番号：17A0730001

MG_2SIの電子構造と光学的性質の第一原理計算を行った。【JST・京大機械翻訳】

First-Principles Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of Mg_2Si with Doping

著者 (4件)： Chen Qian (College of Science, Guizhou University) ,  Xie Quan (College of Science, Guizhou University) ,  Yang Chuanghua (College of Science, Guizhou University) ,  Zhao Fengjuan (College of Science, Guizhou University)
資料名： Guangxue Xuebao  (Guangxue Xuebao)
巻： 29  号： 1  ページ： 229-235  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2088A  ISSN： 0253-2239  CODEN： GUXUDC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理擬ポテンシャル平面波法を用いて,MG_2SIおよびAG,ALのバンド構造,状態密度および光学的性質を計算した。計算結果によると、未ドープMG_2SIは間接バンドギャップ半導体であり、禁止バンド幅は0.2994EVであり、その価電子バンドは主にSIの3P及びMGの3S、3P態電子からなり、伝導帯は主にMGの3S、3P及びSIの3P状態電子から構成される。静的誘電率は18.89であり,屈折率は4.3460.であった。AGをドープしたMG2SIはP型半導体であり、価電子価は主にSIの3P、MGの3S、3P及びAGの3P、4D、5S態電子で構成され、静的誘電率は11.01、屈折率は3.3175.である。ALをドープしたMG_2SIはN型半導体であり、伝導帯は主にMGの3S、3P、SIの3P及びALの3P態電子から構成され、ALの3S態電子の寄与は比較的小さく、静的誘電率は87.03、屈折率は9.3289.である。MG_2SIの電子構造はドーピングにより効果的に調整され,計算結果はMG_2SI光電材料の設計と応用のための理論的基礎を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  密度汎関数法 ,  N型半導体 ,  *電子構造 ,  屈折率 ,  *第一原理 ,  価電子バンド ,  状態密度 ,  *光学的性質 ,  P型半導体 ,  伝導バンド ,  *計算 ,  価電子 ,  誘電率
準シソーラス用語： *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： optical materials ,  Mg_2Si ,  optical properties ,  electronic structure ,  doping ,  first principles

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子構造 ,  光学的性質 ,  第一原理計算