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J-GLOBAL ID：201702272118117280   整理番号：17A0069548

INGAASPの変位損傷等価性の研究【JST・京大機械翻訳】

Displacement Damage Equivalence for Proton in InGaAsP Device

著者 (9件)： Huang Shaoyan (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Liu Minbo (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Guo Xiaoqiang (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Xiao Zhigang (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Sheng Jiangkun (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Wang Zujun (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Yao Zhibin (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  He Baoping (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Tang Benqi (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology)
資料名： Yuanzineng Kexue Jishu  (Yuanzineng Kexue Jishu)
巻： 50  号： 9  ページ： 1701-1705  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2078A  ISSN： 1000-6931  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電離のエネルギー損失(NIEL)に基づく変位損傷の等価の研究方法について議論し、異なるエネルギーの陽子がINGAASP材料中のNIELを計算した。COULOMB散乱により誘起されるNIELを解析し,異なるCOULOMB散乱モデルの適用範囲を解析し,モンテカルロ法を用いて核反応によるNIELを計算した。本論文では,4,5,8MEV陽子照射実験を行い,レーザダイオードの閾値電流損傷係数を得た。研究結果は以下を示す。実験結果は,異なるエネルギー陽子放射環境における閾値電流の損傷係数の測定結果とNIEL理論計算結果との間に線形関係があることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体レーザ ,  エネルギー損失 ,  線形性 ,  モンテカルロ法 ,  陽子 ,  核反応 ,  *等価性 ,  散乱 ,  陽子照射 ,  イオン化
準シソーラス用語： 理論計算 ,  閾値電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaAsP ,  NIEL ,  displacement damage ,  equivalence

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaAsP ,  変位損傷 ,  等価性 ,  研究