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J-GLOBAL ID：201702272831295283   整理番号：17A0214364

バックエンド相互接続と固有FinFETの熱抵抗のモデル化と容量負荷効果を持つインバータの過渡シミュレーション【Powered by NICT】

Thermal resistance modeling of back-end interconnect and intrinsic FinFETs, and transient simulation of inverters with capacitive loading effects

著者 (11件)： Yan Jhih-Yang (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Jan Sun-Rong (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Peng Yu-Jiun (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lin H. H. (PTD, MediaTek Inc., Hsinchu 300, Taiwan) ,  Wan W. K. (PTD, MediaTek Inc., Hsinchu 300, Taiwan) ,  Huang Y.-H. (PTD, MediaTek Inc., Hsinchu 300, Taiwan) ,  Hung Bigchoug (PTD, MediaTek Inc., Hsinchu 300, Taiwan) ,  Chan K.-T. (PTD, MediaTek Inc., Hsinchu 300, Taiwan) ,  Huang Michael (PTD, MediaTek Inc., Hsinchu 300, Taiwan) ,  Yang M.-T. (PTD, MediaTek Inc., Hsinchu 300, Taiwan) ,  Liu C. W. (Graduate Institute of Electronic Engineering)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 35.6.1-35.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BEOL(Rth,beol)の熱抵抗を計算するために用いている二ステップ擬似等温平面モデル。14nm FinFET(Rth0,デバイス)の固有熱抵抗は仰臥(従来の測定,チャネルから基板への熱流)と腹臥(フリップチップ,チャネル金属接触への熱流)配置で抽出した。空気の自由対流が大きな熱抵抗を有しているので,熱流方向はRth0,デバイスに影響を与える。仰臥Rth0,デバイスである腹臥Rth0,デバイスよりも高かった。これは多指FinFETに対してより顕著である。ホットスポットの体積は冷却時間に影響する。インバータでは,pFETの最高温度(Tmax)であるSiGe S/Dの低い熱伝導率によるnFETよりも高かった。Tmaxと高温期間はインバータの電流と出力容量性負荷によって制御することができる。チャネル内の残留温度とM1層の温度は実デバイス温度,過渡交流入力デバイス温度の過小評価につながる可能性があることを反映するには低すぎることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  熱流 ,  交流 ,  ホットスポット ,  熱伝導率 ,  フリップチップ法 ,  高温 ,  自然対流 ,  *熱抵抗 ,  チャネル ,  *相互接続
準シソーラス用語： シリコンゲルマニウム ,  冷却時間 ,  *容量負荷 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： バックエンド ,  相互接続 ,  固有 ,  FinFET ,  熱抵抗 ,  モデル化 ,  容量負荷 ,  インバータ ,  過渡シミュレーション