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J-GLOBAL ID：201702272854102769   整理番号：17A0398708

単層カーボンナノチューブのためのvan der Waalsギャップトンネル分光法【Powered by NICT】

Van-der-Waals-gap tunneling spectroscopy for single-wall carbon nanotubes

著者 (15件)： Choi Dong-Hwan (Department of Physics, Chonbuk National University, Jeonju 54896, Republic of Korea) ,  Choi Dong-Hwan (Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Jang Seunghun (Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Jeong Du-Won (Department of Physics, Chonbuk National University, Jeonju 54896, Republic of Korea) ,  Jeong Du-Won (Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Lee Jeong-O (Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Chang Hyunju (Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Ha Dong-Han (Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Lee Seung Mi (Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Kim Jongwoo (Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Suh Yung Doug (Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 34114, Republic of Korea) ,  Suh Yung Doug (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Bae Myung-Ho (Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Bae Myung-Ho (Department of Nano Science, University of Science and Technology, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Kim Ju-Jin (Department of Physics, Chonbuk National University, Jeonju 54896, Republic of Korea)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 113  ページ： 237-242  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： そのユニークな電子バンド構造の結果として,電界効果トランジスタに取込まれると一次元(1D)単層カーボンナノチューブ(SWCNTs),2Dグラフェンと種々の2d遷移金属二カルコゲン化物のような低次元材料は興味ある電気輸送特性を示した。一方,トップ接触金属と低次元材料間のvan der Waals(vdW)界面は将来の高性能エレクトロニクスのための挑戦的な課題となっている。,人工絶縁トンネル障壁のないSWCNTs上にトップ接触金属としてインジウム(In)を採用することにより,vdWギャップトンネル分光法を提供することをvdW界面の新しい側面を報告した。を種々のバイアス電圧のための複数の微分コンダクタンスピークは,SWCNTsの電子状態密度に存在するvanH ove特異点に対応することを示した。著者らの第一原理計算は,InはかなりvdWギャップ,金属界面近傍のSWCNTsの状態密度にほとんど破壊を引き起こし,これは,vdWギャップトンネル分光法を可能にすると物理吸着界面を形成することを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *トンネル分光法 ,  状態密度 ,  グラフェン ,  界面 ,  インジウム ,  *単層カーボンナノチューブ ,  一次元
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  電子状態密度 ,  微分コンダクタンス ,  バイアス電圧 ,  トンネル障壁 ,  輸送特性 ,  低次元 ,  電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層カーボンナノチューブ ,  VAN ,  ギャップ ,  トンネル分光法