文献

J-GLOBAL ID：201702272891616028   整理番号：17A0402795

太陽電池のためのInAlAsSb/InGaAs/InPヘテロ構造の構造評価【Powered by NICT】

Structural characterization of InAlAsSb/InGaAs/InP heterostructures for solar cells

著者 (14件)： Balades N. (INNANOMAT Group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Herrera M. (INNANOMAT Group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Sales David L. (INNANOMAT Group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Delgado F.J. (INNANOMAT Group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Hernandez-Maldonado D. (SuperSTEM Laboratory, SciTech Daresbury Campus, Keckwick Lane, Warrington WA4 4AD, UK) ,  Ramasse Q.M. (SuperSTEM Laboratory, SciTech Daresbury Campus, Keckwick Lane, Warrington WA4 4AD, UK) ,  Pizarro J. (Department of Computer Engineering, University of Cadiz, Avda. de la Universidad de Cadiz, no 10, 11519 Cadiz, Spain) ,  Galindo P. (Department of Computer Engineering, University of Cadiz, Avda. de la Universidad de Cadiz, no 10, 11519 Cadiz, Spain) ,  Gonzalez M. (U.S Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington D.C. 20375, USA) ,  Gonzalez M. (Sotera Defense Solutions, 430 National Business Pkwy # 100, Annapolis Junction, MD 20701, USA) ,  Abell J. (U.S Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington D.C. 20375, USA) ,  Tomasulo S. (U.S Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington D.C. 20375, USA) ,  Walters J.R. (U.S Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington D.C. 20375, USA) ,  Molina S.I. (INNANOMAT Group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 98-104  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InAlAsSb/InGaAs/InPヘテロ構造の構造特性,高効率太陽電池におけるアプリケーションを透過型電子顕微鏡法によって特性化した。以前の光ルミネセンス(PL)~11PL光ルミネセンス解析は,これらのヘテロ構造の活性層における組成ゆらぎの存在を示唆した。220明視野(BF)~22BF:明視野回折コントラスト顕微鏡写真は,InGaAsバッファ層における強い歪コントラスト,これらの組成ゆらぎの存在に関連することを明らかにした。InAlAsSb層の成長に及ぼす分解緩衝液の影響を有限要素法(FEM)を用いてヘテロ構造における歪場のシミュレーションによって解析した。~33有限要素法:有限要素法。これらのシミュレーションは,組成ゆらぎに起因するバッファ層での歪は,InAlAsSb層の最初の数nmのみに影響することを示した。InAlAsSb層の組成の収差補正高角度環状暗視野走査透過電子顕微鏡(HAADF STEM)~44HAADF-STEMの高角度散乱暗視野走査透過電子顕微鏡と電子エネルギー損失分光法(EELS)~55EELS:電子エネルギー損失分光法による解析は,組成変動は平均効果としてではなく,クラスタリングや原子的に鋭い転移の形で観察されるだけであることを明らかにした。小型3D組成ゆらぎの検出のためのこれらの技術の限界を議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゆらぎ ,  *リン化インジウム ,  収差補正 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  バッファ層 ,  光ルミネセンス ,  コントラスト ,  *太陽電池 ,  有限要素法 ,  *構造解析 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  暗視野 ,  明視野 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InAlAsSb ,  高効率 ,  太陽電池 ,  多接合 ,  HAADF-STEM

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  InGaAs ,  InP ,  ヘテロ構造 ,  構造評価