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J-GLOBAL ID：201702273021836720   整理番号：17A0352476

T型フィールドプレートを用いたAlGaN/GaNH EMTにおける電場と破壊性能の調節機構の解析【Powered by NICT】

Analysis of the modulation mechanisms of the electric field and breakdown performance in AlGaN/GaN HEMT with a T-shaped field-plate

著者 (9件)： Mao Wei (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Fan Jusheng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Du Ming (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jinfeng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zheng Xuefeng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Wang Chong (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ma Xiaohua (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jincheng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 127305-1-127305-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 源連結T型フィールドプレート(ST FP HEMT)をもつ新しいAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を,この論文で初めて提案した。源連結T型フィールドプレート(ST FP)をソース接続フィールドプレート(S FP)とトレンチ金属から構成されている。破壊電圧とFP効率を改善し,チャネル電場と電位の分布を調節するSTFPの物理的本質的なメカニズムを,Silvaco ATLASを用いた二次元数値シミュレーションを用いて詳細に研究した。HEMTとの比較およびSFP(S FP HEMT)があるHEMTでは,STFP EMTはトレンチ金属を用い,絶縁破壊電圧とFP効率を著しく増加させることができたと広く,より均一なチャネル電界分布を達成できることを示した。さらに,STFP,チャネル電界,絶縁破壊電圧の構造だけでなく,STFP EMTにおけるFP効率の間の関係を解析した。これらの結果は,パワーエレクトロニクス応用のための高電圧パワーデバイスを作製するための新しい効果的な方法を開くことができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電場 ,  パワーエレクトロニクス ,  二次元 ,  HEMT ,  チャネル ,  電位
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  電界分布 ,  数値シミュレーション ,  絶縁破壊電圧 ,  トレンチ ,  *AlGaN/GaN ,  *フィールドプレート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaNH EMT ,  源連結T型フィールドプレート ,  破壊電圧 ,  FP効率

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： T型 ,  フィールドプレート ,  AlGaN ,  EMT ,  電場 ,  破壊 ,  調節 ,  解析