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J-GLOBAL ID：201702273255427266   整理番号：17A0399675

準一次元ZrTe_5結晶の微細構造,成長機構および異方性抵抗率【Powered by NICT】

Microstructure, growth mechanism and anisotropic resistivity of quasi-one-dimensional ZrTe₅ crystal

著者 (11件)： Lv Yang-Yang (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Fan (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Bin-Bin (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Pang Bin (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Yao Shu-Hua (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Chen Y.B. (National Laboratory of Solid State Microstructure and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Ye Liwang (Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou, Fujian 350002, China) ,  Zhou Jian (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Shan-Tao (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Chen Yan-Feng (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Chen Yan-Feng (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 250-254  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理論はバルクZrTe_5における単分子層ZrTe_5とトポロジカル相における量子スピンH all効果を予測するためZrTe_5の研究が再燃した。ZrTe_5のトポロジー的特性を研究するために,大きなサイズと高品質単結晶の成長は最初の重要な段階である。,ヨウ素(I_2)輸送剤を用いて,センチメートルサイズのZrTe_5単結晶を化学気相輸送法により成長させることに成功した。微細構造特性化は,成長したZrTe_5結晶は「木材の積層ストライプ」形態を持ち,成長機構を提案することを明らかにした。成長したZrTe_5結晶の大きさは35×2×0.5mm~3a,バンドc軸異方性抵抗性を測定することを可能にする大きさに達することができた。大規模及び単結晶ZrTe_5結晶はそのトポロジカル相を探索するための強固な基盤を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  *電気抵抗率 ,  *微細構造 ,  気相成長 ,  単分子層 ,  キャラクタリゼーション ,  *結晶 ,  気相 ,  *異方性 ,  トポロジカル相
準シソーラス用語： 単結晶成長 ,  高品質 ,  量子スピン ,  *成長メカニズム ,  *準一次元 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1結晶形態 ,  A1低次元構造 ,  A2気相からの成長 ,  A2単結晶成長 ,  A3化学気相輸送過程

分類 (3件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶 ,  微細構造 ,  成長 ,  異方性 ,  抵抗率