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J-GLOBAL ID：201702273301995724   整理番号：17A0469714

エピタキシャル横方向被覆成長のためのAlNテンプレート層中のけい素誘起欠陥の減少【Powered by NICT】

Silicon induced defect reduction in AlN template layers for epitaxial lateral overgrowth

著者 (7件)： Mogilatenko A. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany) ,  Mogilatenko A. (Humboldt Universitaet zu Berlin, Institut fuer Physik, Berlin, Germany) ,  Knauer A. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany) ,  Zeimer U. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany) ,  Hartmann C. (Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany) ,  Oppermann H. (Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany) ,  Weyers M. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 462  ページ： 18-23  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上に成長させたAlN層中の欠陥密度に及ぼすSiドーピングの影響を解析した。10~19cm~ 3の範囲中のSi濃度は3×10~10cm~ 2の貫通転位密度を持つAlN層中の転位線傾斜をもたらした。非意図的にドープしたAlNによるSiドープしたAlN層の成長は二の因子による貫通転位密度の減少をもたらした。対照的に,10~20cm~ 3のためにSi濃度の増加はAlN層の構造劣化をもたらした。分解プロセスは柱状成長への転移により起こった。第二の実験では減少した欠陥密度を持つAlN/AlN:Si/AlN層は,その後のエピタキシャル横方向被覆成長のためのトレンチパターン化し,使用した。非意図的にドープしたAlNテンプレートのエピタキシャル横方向被覆成長と比較して,AlN:Si中間層を含むAlNテンプレートの使用は欠陥の多い領域における貫通転位密度を減少させる2.5の因子による6μm厚いエピタキシャル横過剰成長したAlNのリッジ以上に可能にする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ドーピング ,  *エピタクシー ,  サファイア ,  欠陥密度 ,  パターン形成 ,  *窒化アルミニウム ,  貫通転位
準シソーラス用語： 中間層 ,  トレンチ ,  *横方向成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1線欠陥 ,  A1:ドーピング ,  A3:Metalorganic化学蒸着 ,  A3:エピタキシャル横方向被覆成長 ,  B1:窒化アルミニウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  横方向被覆成長 ,  AlN ,  テンプレート ,  けい素 ,  誘起 ,  欠陥