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J-GLOBAL ID：201702273410026494   整理番号：17A0759438

スパッタしたTiNゲートを持つSi上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】

AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si with sputtered TiN gate

著者 (11件)： Li Y. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore) ,  Ng G. I. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore) ,  Ng G. I. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, 9th Storey, BorderX Block, Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Singapore 637553, Singapore) ,  Arulkumaran S. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, 9th Storey, BorderX Block, Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Singapore 637553, Singapore) ,  Liu Z. H. (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 1 Create Way, #10-01 Create Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Ranjan K. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, 9th Storey, BorderX Block, Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Singapore 637553, Singapore) ,  Xing W. C. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore) ,  Xing W. C. (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 1 Create Way, #10-01 Create Tower, Singapore 138602, Singapore) ,  Ang K. S. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, 9th Storey, BorderX Block, Research Techno Plaza, 50 Nanyang Drive, Singapore 637553, Singapore) ,  Murmu P. P. (National Isotope Centre, GNS Science, 30 Gracefield Road, PO Box 31312, Lower Hutt 5010, New Zealand) ,  Kennedy J. (National Isotope Centre, GNS Science, 30 Gracefield Road, PO Box 31312, Lower Hutt 5010, New Zealand)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600555  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製し,研究したスパッタTiN Schottkyゲートを用いた。AlGaN/GaNH EMT上にスパッタしたTiNは~1.1eVの改善されたSchottky障壁高さ(SBH)であり,他の報告されているTiNスタックと最もNi/Auフリー材料により形成されたSchottky接触より大きいを示した。SBHの改善はスパッタしたTiN中の酸素の取込またはスパッタリングプロセス中に高いN_2/Ar比を用いて金属の仕事関数の増加に起因した。TiNゲートをもつHEMTは,Ni/Auゲートをもつ素子に較べて,同等のDC出力と伝達特性を示すが,それらは~48 58の強化されたオフ状態破壊電圧(BV_gd)を示した。は低い逆ゲート漏れ電流のための観察と一致しており,Ni/Auゲートと比較してスパッタしたTiNの強化されたSBHにより認められている。Ni/Auゲートを有するH EMTに関連して,スパッタされたTiNゲートH EMTで観察された動的/静的オン(R_ds[ON])比(~8%)の僅かな増加。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  仕事関数 ,  *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  酸素
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  ゲート漏れ電流 ,  絶縁破壊電圧 ,  オフ状態 ,  伝達特性 ,  Schottky接触 ,  Schottky障壁高さ ,  *AlGaN/GaN ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  CMOS ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  Schottky障壁 ,  TiN

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタ ,  TiN ,  ゲート ,  Si ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ