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J-GLOBAL ID：201702273523261052   整理番号：17A0883548

高感度光検出器アレイのための固相反応による大粒径NiSe膜のエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Epitaxial Growth of Large-Grain NiSe Films by Solid-State Reaction for High-Responsivity Photodetector Arrays

著者 (13件)： Cai Caoyuan (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China) ,  Ma Yang (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China) ,  Jeon Jaeho (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea) ,  Huang Fan (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China) ,  Jia Feixiang (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China) ,  Lai Shen (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea) ,  Xu Zhihao (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China) ,  Wu Congjun (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China) ,  Zhao Ruiqi (School of Material Science and Engineering, Henan Polytechnic University, Henan, 454000, China) ,  Hao Yufeng (National Laboratory of Solid-State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Chen Yiqing (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China) ,  Lee Sungjoo (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea) ,  Wang Min (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Tunxi Road 193, Hefei, 230009, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 17  ページ： ROMBUNNO.201606180  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィルムベースの光検出器は光検出器アレイの作製のための優位性,センシングとイメージングシステムに光検出器を統合するための望まれるを示し,イメージセンサである。しかしそれらは通常ナノ結晶から成る薄膜の低キャリア移動度による低応答性を有していた。大結晶粒半導体膜は優れた応答性光検出器アレイを作製するために期待されている。しかし,通常nonlayer構造を持つ,大結晶粒半導体膜の成長はまだ困難である。ここでは,本研究は固相反応法,成長速度はNi箔上にマイクロメータスケールまでの拡散と反応速度によって制限され,粒径nonlayer構造NiSe膜の界面閉込めエピタキシャル成長であると考えられているを紹介した。一方,NiSe膜のパターン化した成長はNiSe膜ベース光検出器アレイの作製を可能にした。より重要なことは,成長したままの高品質NiSe膜に基づいて作製した光検出器は,ナノ結晶の堆積したままのNiSe膜に基づく光検出器からの0.009A W~ 1の値と対照的に150A W~ 1の応答を示し,四桁までの巨大な応答性増強を示した。電荷キャリアの散乱を引き起こす結晶粒界の量を減少させて成長したままのNiSe膜における増強された電荷キャリア移動度に起因した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *粒径 ,  結晶粒界 ,  *高感度 ,  応答特性 ,  *エピタクシー ,  *ニッケル ,  ナノ結晶 ,  *光検出器アレイ ,  結晶粒 ,  *光検出器 ,  薄膜 ,  *固相反応 ,  半導体
準シソーラス用語： 電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 膜 ,  高応答性 ,  大粒 ,  光検出器アレイ ,  固相反応

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高感度 ,  光検出器アレイ ,  固相反応 ,  大粒径 ,  エピタキシャル成長