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J-GLOBAL ID:201702273542744718   整理番号:17A0046676

2 DEGチャージ線形化に基づくGaN HEMTのドレイン電流のコンパクトモデル

A Compact Model of Drain Current for GaN HEMTs Based on 2-DEG Charge Linearization
著者 (4件):
資料名:
巻: 63  号: 11  ページ: 4226-4232  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GaNベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)のための物理学に基づいた簡単で正確なコンパクトなドレイン電流モデルが提示されている。このモデルは,2次元電子ガスおよび障壁層における電荷の分析関係を使用して開発される。はじめて,GaNベースのHEMTには単純な電荷リニアライゼーション法が用いられてきた。アクセス領域は,トランジスタを用いて正確にモデル化される。このモデルは,AlGaN/GaNおよびAlInN/GaN HEMTの幅広い形状およびパラメータにわたって厳密に検証されています。モデルはまた,DC Gummel対称性試験に合格します。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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