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J-GLOBAL ID:201702273544462251   整理番号:17A0344259

希土類ERドープΒ-FESI_2光電特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Study on photoelectric properties ofβ-FeSi_2 doped with Er
著者 (6件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 1335-1339  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2595A  ISSN: 0490-6756  CODEN: SCTHAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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第一原理の擬ポテンシャル平面波法を用いて、Β-FESI2ドープ希土類元素ER(ER)の光電特性に対して計算と分析を行った。計算結果は以下を示す。ERドーピング後,Β-FESI2単位の体積は大きくなり,ERドーピング後には,FE原子が置換される傾向があった。バンド構造解析により,ERドーピングによりFERMI準位近くのバンド構造が緩やかななり,ER置換FEがFERMI準位の価電子バンドギャップを低下させ,バンドギャップが著しく狭くなることを示した。ER原子のドーピングは静的誘電率を増加させ,吸収係数のピーク値を減少させ,ERドーピング後の材料の光電特性を変化させることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (5件):
分類 (1件):
分類
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半導体結晶の電子構造 
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