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J-GLOBAL ID：201702273750153301   整理番号：17A0469892

半導体中の自己集合単分子層を利用した熱電性能の強化【Powered by NICT】

Enhancements of thermoelectric performance utilizing self-assembled monolayers in semiconductors

著者 (3件)： Wang T.H. (Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Jeng H.T. (Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Jeng H.T. (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 104  ページ： 228-232  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体(SC)の自己集合単分子層(SAM)の熱電効果を調べた。SC SAM SCヘテロ構造の熱電性能は二つの理由のために大きく改善された。最初に,半導体中のSAMは良好な熱絶縁体として作用した。第二に,SAMの厚さは1ナノメートルよりも小さいことができる電子はSAMを通るトンネル容易にできるようにした。例として,室温でGaAs SAM GaAsヘテロ構造を考察した。電気伝導率,Seebeck係数,およびドナー濃度の関数として電子熱伝導率をBoltzmann方程式とトンネル電流モデルにより計算した。とSeebeck係数の高度に改善された性能は,高効率nanothermalelectricデバイスを作製するための優れた方向を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドナー ,  *半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  熱伝導率 ,  電気伝導率 ,  Boltzmann方程式 ,  熱電効果
準シソーラス用語： 高効率 ,  トンネル電流 ,  Seebeck係数 ,  ヘテロ構造 ,  *自己集合単分子膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 自己集合単分子層 ,  強化