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J-GLOBAL ID：201702273777521023   整理番号：17A0204215

マイクロ波GaNH EMTの改善された温度依存大信号モデル【Powered by NICT】

An improved temperature-dependent large signal model of microwave GaN HEMTs

著者 (5件)： Wang Changsi (EHF Key Laboratory of Fundamental Science, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Xu Yuehang (EHF Key Laboratory of Fundamental Science, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Wen Zhang (EHF Key Laboratory of Fundamental Science, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Chen Zhikai (EHF Key Laboratory of Fundamental Science, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Xu Ruimin (EHF Key Laboratory of Fundamental Science, University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 7  ページ： 074006-1-074006-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN電子デバイスの電熱効果の正確なモデリングは,信頼性設計と評価に重要である。本論文では,GaNH EMTの大信号等価回路モデル化のための改善された温度依存性モデルを提案した。熱効果を正確に記述するために,電力消費でなく,周囲温度だけでなく関連する修正非線形熱特性モデルサブ回路を用いて,デバイスのチャネル温度の変動を計算することである;温度依存性寄生と固有要素もこのモデルで考慮に入れた。熱特性モデルサブ回路のパラメータは,数値有限要素法を用いて抽出した。結果は,線形熱特性モデルサブ回路を用いた従来モデルと比較して 55~125°Cの範囲で提案した大信号モデルを用いて実現できる良好な性能であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力消費 ,  熱特性 ,  *温度依存性 ,  有限要素法 ,  モデリング ,  線形性 ,  熱影響 ,  *窒化ガリウム ,  信頼性設計 ,  *マイクロ波
準シソーラス用語： 特性モデル ,  等価回路モデル ,  *大信号 ,  電熱効果 ,  *大信号モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaNH EMT ,  大信号モデル ,  熱抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロ波 ,  EMT ,  温度依存 ,  大信号モデル