文献

J-GLOBAL ID：201702273788678522   整理番号：17A0854880

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させた四元BeMgZnOへの金属種の取込に及ぼす酸素対金属フラックス比の影響【Powered by NICT】

Effect of oxygen-to-metal flux ratio on incorporation of metal species into quaternary BeMgZnO grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (7件)： Toporkov M. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, United States) ,  Toporkov M. (CREOL, The College of Optics and Photonics, University of Central Florida, Orlando, FL, United States) ,  Ullah M.B. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, United States) ,  Demchenko D.O. (Department of Physics, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, United States) ,  Avrutin V. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, United States) ,  Morkoc H. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, United States) ,  OEzguer UE. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, United States)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 467  ページ： 145-149  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光スペクトルのUV領域をカバーするその大きなバンドギャップのために,四元BeMgZnOは興味のあるとろで,特に固体組成に及ぼす集団効果BeとMgフラックスである。ウルツ鉱型BeMgZnO四元合金中のBe,Mg,Znの取り込みは,金属リッチ条件下でプラズマ支援分子ビームエピタクシーによる成長中の金属フラックス比反応性酸素に強く依存することが分かった。金属フラックスの与えられたセットに対して,VI/II(酸素金属フラックス)比を1.0から0.6へ下げるバンドギャップが4.0eVから4.5eVへとc格子パラメータを減少させた5.08Åから5.02Åまで。Be_0 0.07Mg_0 21Zn_0 0.72OからBe_0 10Mg_0 0.34Zn_0 0.56O組成の対応する変化は,Zn取込係数の系統的な減少から0.23~0.12と一致したが,BeとMgのそれは~1のままであった。この挙動はウルツ鉱型BeOとMgO,それぞれ 5.98eVと 5.64eVのかなり低い生成エンタルピーにより説明され,ZnO, 3.26eV,第一原理計算を用いて決定したのと同様にZnの高い平衡蒸気圧,成長表面の詳細を本論文の話題から過剰なZnの再蒸発の結果と比較した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *亜鉛 ,  バンドギャップ ,  *プラズマ ,  酸化マグネシウム ,  *ベリリウム ,  蒸気圧 ,  活性酸素 ,  *MBE成長 ,  生成熱 ,  *マグネシウム ,  格子定数 ,  *酸化亜鉛 ,  合金
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A3分子ビームエピタクシー ,  B1ZnO ,  B1合金 ,  B1酸化物 ,  B2半導性四元合金 ,  B2半導性II-VI材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  取込 ,  酸素 ,  フラックス比