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J-GLOBAL ID：201702273848894817   整理番号：17A0279996

紫外発光ダイオードの逆漏れ電流の輸送機構【Powered by NICT】

The Transport Mechanisms of Reverse Leakage Current in Ultraviolet Light-Emitting Diodes

著者 (8件)： Dai Feng (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Zheng Xuefeng (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Li Peixian (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Hou Xiaohui (School of Computer Science and Technology,Xidian University) ,  Wang Yingzhe (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Cao Yanrong (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Ma Xiaohua (School of Microelectronics,Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics,Xidian University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 117301-1-117301-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV発光ダイオード(380 nm)における逆漏れ電流の輸送機構を温度依存電流-電圧測定により調べた。三つの可能な輸送機構,空間限定された電荷伝導,可変領域ホッピングとPoole-Frenkel放出,は295K以上で逆漏れ電流の輸送過程を説明するために提案した。詳細な調査により,前者二種の輸送機構は除外した。実験データは,Poole-Frenkel放出モデルと良く一致することが分かった。さらに,逆漏れ電流の原因となるトラップの活性化エネルギーを抽出し,それは0.05eV,0.09eVおよび0.11eVであった。これは少なくとも三種類のトラップ状態はUV LEDの空乏領域における伝導帯の底の下に位置していることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  *電流 ,  輸送現象 ,  *漏れ電流 ,  電圧測定 ,  活性化エネルギー ,  *発光ダイオード ,  電荷 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 空乏領域 ,  可変領域ホッピング ,  *UV-LED , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 輸送 ,  機構 ,  逆

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  発光素子  (NC03082G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 紫外発光ダイオード ,  漏れ電流 ,  輸送