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J-GLOBAL ID：201702273897623606   整理番号：17A0085664

極薄バリアAlGaN/GaNヘテロ構造上に製作した均一性の高いノーマリーオフのGaN MIS-HEMT

High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure

著者 (13件)： Huang Sen (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Xinyu (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Xinhua (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Kang Xuanwu (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhang Jinhan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Bao Qilong (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wei Ke (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zheng Yingkui (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Gao Hongwei (Chinese Academy of Sciences, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Suzhou, China) ,  Sun Qian (Chinese Academy of Sciences, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Suzhou, China) ,  Zhang Zhaofu (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 12  ページ： 1617-1620  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ノーマリーオフのGaN金属絶縁半導体高電子移動度トランジスタ(MIS-HEMT)の製造するために,極薄バリア(UTB)AlGaN/GaNヘテロ構造を利用した。減圧化学気相蒸着によってSiN_xパッシベーションを成長させ,UTB Al_0.22Ga_0.78N(5nm)/GaNヘテロ構造の2次元電子ガスのシート抵抗を2570Ω/□から334Ω/□に効果的に下げた。製作したAl₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTは,V_TH均一性に優れ,V_THヒステリシスも小さく,ノーマリーオフの特性を示した。このプラットフォームの上で,0.75Ω(I_D,MAX=6.5A)という低R_onを特長とするゲート幅20mmのパワーデバイスもできることを実際に示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *HEMT ,  *回路特性 ,  MIS構造 ,  超薄膜 ,  層 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  素子構造
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *ノーマリーオフ型 ,  極薄膜 ,  バリア層 ,  AlGaN/GaN ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： バリア ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  製作 ,  均一性 ,  ノーマリーオフ ,  MIS ,  HEMT