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J-GLOBAL ID：201702273935988613   整理番号：17A0165406

希土類ガドリニウムをドープしたアルミニウム-亜鉛酸化物薄膜の半導体特性【Powered by NICT】

Semiconductor performance of rare earth gadolinium-doped aluminum-zinc oxide thin film

著者 (7件)： Dong Junchen (Shenzhen Graduate School, Peking University) ,  Han Dedong (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Zhao Feilong (Shenzhen Graduate School, Peking University) ,  Zhao Nannan (Shenzhen Graduate School, Peking University) ,  Wu Jing (Shenzhen Graduate School, Peking University) ,  Kang Jinfeng (Institute of Microelectronics, Peking University) ,  Wang Yi (Institute of Microelectronics, Peking University)
資料名： Rare Metals  (Rare Metals)
巻： 35  号： 9  ページ： 672-675  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2573A  ISSN： 1001-0521  CODEN： RARME8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類元素ガドリニウムをドープしたアルミニウム-亜鉛オキシド(Gd-アゾ)半導体薄膜材料は室温で無線周波数(RF)スパッタリングによりシリコンおよびガラス基板上に堆積した。Gd AZO薄膜の電気的性質と微細構造は主にRFスパッタリングプロセスの間にO_2分圧(OPP)を変化させることにより調節された。走査電子顕微鏡(SEM)とX線回折(XRD)試験は,スパッタリングOPPと微細構造変化の傾向を明らかにするために行った,大質量産業製造に有利な非晶質構造はXRDパターンによっても実証された。可視光スペクトルにおける透過率は透明材料分野に使用されるGd AZOへの応用の可能性を示唆している。最後に,活性チャネル層としてGd AZO薄膜を用いたボトムゲート,上部接触素子構造薄膜トランジスタ(TFT)を,Gd AZO薄膜材料の半導体効果を確認するために作製した。に加えて,Gd AZO TFTは望ましい伝達と出力特性を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透明材料 ,  *ガドリニウム ,  薄膜トランジスタ ,  可視光 ,  走査電子顕微鏡 ,  ケイ素 ,  *ドーピング ,  半導体薄膜 ,  X線回折 ,  RFスパッタリング ,  スパッタリング ,  *薄膜
準シソーラス用語： ボトムゲート ,  ガラス基板 ,  *酸化物薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 希土類 ,  Gd AZO薄膜 ,  光学的性質 ,  電気的性質 ,  半導体特性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 希土類 ,  ガドリニウム ,  ドープ ,  アルミニウム ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜