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J-GLOBAL ID：201702273957610970   整理番号：17A0775998

AlGaN/GaNH EMTにおけるゲート金属析出関連雑音性能前アニーリング【Powered by NICT】

Annealing before gate metal deposition related noise performance in AlGaN/GaN HEMTs

著者 (8件)： Pang Lei (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Pu Yan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Xinyu (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Liang (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Chengzhan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Jian (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zheng Yingkui (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wei Ke (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 5  ページ： 28-31  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNH EMTの雑音性能のさらなる改善のために,比較的高いゲート漏れ電流を低減する重要な問題である。本論文では,実験は,素子作製プロセス中での,一つの方法は雑音を低下させることを示すために実施した。二試料はゲートリセスエッチング後の異なる処理した:1試料は金属蒸着前の焼なましがあったが,他の試料は,放置していた。I_g V_g特性の比較から,結論は,アニーリングは,ゲート漏れ電流を効果的に低減できることを引き出すことができた。アニーリング後のエッチングプラズマ誘起損傷除去または減少は,その原因となる主な要因であると考えられている。証拠は,焼なましは,Schottky障壁高さを増加させることができることを証明した。金属蒸着前のゲートリセスのアニーリングはAlGaN/GaNH EMTの雑音性能を改善するために有効であることを検証するために使用した雑音モデル。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *雑音 ,  *雑音特性 ,  エッチング ,  *焼なまし
準シソーラス用語： 雑音モデル ,  Schottky障壁高さ ,  金属蒸着 ,  ゲート漏れ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaNH EMT ,  金属蒸着前アニーリング ,  ゲート漏れ電流 ,  雑音性能

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  EMT ,  ゲート ,  析出 ,  雑音性能 ,  アニーリング