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J-GLOBAL ID：201702274035599577   整理番号：17A0323191

アルキルシリル前駆体を用いたSeドープしたSb-Te相変化薄膜の原子層堆積の研究【Powered by NICT】

Investigation on the atomic layer deposition of the Se doped Sb-Te phase change films using an alkyl-silyl precursor

著者 (2件)： Jeong Jin Hwan (Department of Material Science and Engineering, Yonsei University, 262 Seong Sanno, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic of Korea) ,  Choi Doo Jin (Department of Material Science and Engineering, Yonsei University, 262 Seong Sanno, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 54  ページ： 42-50  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SeドープSb-Te相変化膜の形成中の原子蒸気蒸着(AVD)の挙動を調べるために前駆体としてTDMASb,Te(t Bu)2およびSe(SiMe_3)2を使用した。析出はSeアルキルシリル前駆体とSbおよびTe前駆体間の静電相互作用を考慮した原子層蒸着(A LD)反応のための逐次処方によって調製した。Sb Te Se三元膜は80 300°Cの温度微細可制御性と高い表面品質でAVDによる蒸着できた。膜の元素組成は,堆積温度を変えて制御した。結晶状態の結晶化温度と抵抗に及ぼすSeドーピング効果はガラス転移温度モデルと共鳴結合モデルを適用して電気的測定および理論的解析によって評価した。結果はSb-Te膜中へのSeの取込は,相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)素子の改良された熱安定性と電力消費効率を提供する可能性があることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力消費 ,  ガラス転移点 ,  可制御性 ,  *ドーピング ,  *テルル ,  晶出温度 ,  表面性状 ,  *相転移 ,  RAM【メモリ】 ,  *セレン ,  *アンチモン ,  熱安定性 ,  静電相互作用 ,  *前駆体
準シソーラス用語： 元素組成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相変化材料 ,  A LD反応 ,  アルキルシリル前駆体 ,  ガラス転移温度モデル ,  共鳴結合モデル

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 前駆体 ,  Se ,  ドープ ,  Sb ,  Te ,  相変化 ,  薄膜 ,  原子層堆積 ,  研究