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J-GLOBAL ID:201702274194045490   整理番号:17A0047737

FinFET技術のためのサブ10-9Ω-cm2n型接触抵抗率

Sub- $10^{-9}¥Omega $ -cm2 n-Type Contact Resistivity for FinFET Technology
著者 (14件):
資料名:
巻: 37  号: 11  ページ: 1371-1374  発行年: 2016年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノスケールの接触溝内部にSi:Pのレーザー誘起固/液相エピタキシーを用いる8.4×10-10Ω-cm2の低い新記録のn型S/D接触抵抗率を報告した。デバイス抵抗の大幅な減少とその結果としてのドレイン電流の大きな増加を,20nmの接触長さを有する縮小したn-FinFETで実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (3件):
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