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J-GLOBAL ID：201702274194045490   整理番号：17A0047737

FinFET技術のためのサブ10^-9Ω-cm²n型接触抵抗率

Sub- $10^{-9}¥Omega $ -cm2 n-Type Contact Resistivity for FinFET Technology

著者 (14件)： Niimi Hiroaki (GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA) ,  Liu Zuoguang (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Gluschenkov Oleg (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Mochizuki Shogo (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Fronheiser Jody (GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA) ,  Li Juntao (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Demarest James (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Zhang Chen (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Liu Bei (GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA) ,  Yang Jie (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Raymond Mark (GLOBALFOUNDRIES Inc., Albany, NY, USA) ,  Haran Bala (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Bu Huiming (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA) ,  Yamashita Tenko (IBM Research at Albany NanoTech, Albany, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 11  ページ： 1371-1374  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールの接触溝内部にSi:Pのレーザー誘起固/液相エピタキシーを用いる8.4×10^-10Ω-cm²の低い新記録のn型S/D接触抵抗率を報告した。デバイス抵抗の大幅な減少とその結果としてのドレイン電流の大きな増加を,20nmの接触長さを有する縮小したn-FinFETで実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *比率 ,  *ケイ素 ,  エピタクシー ,  計測 ,  液相成長 ,  溝 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： *FinFET ,  *N型シリコン ,  エピタクシー成長 ,  レーザー誘起加熱法 ,  液相エピタクシー ,  固相エピタキシー ,  *接触抵抗率

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： FinFET ,  サブ ,  接触抵抗率