溶液処理酸化物薄膜の化学的耐久性工学と化学的に強いパターン化酸化物薄膜トランジスタへの応用【Powered by NICT】

Cho Sung Woon; Kim Da Eun; Kang Won Jun; Kim Bora; Yoon Dea Ho; Kim Kyung Su; Cho Hyung Koun; Kim Yong-Hoon; Kim Yunseok

文献

J-GLOBAL ID：201702274403914519 整理番号：17A0325970

溶液処理酸化物薄膜の化学的耐久性工学と化学的に強いパターン化酸化物薄膜トランジスタへの応用【Powered by NICT】

Chemical durability engineering of solution-processed oxide thin films and its application in chemically-robust patterned oxide thin-film transistors

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0325970&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0325970&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2383A") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 5 号： 2 ページ： 339-349 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

溶液処理酸化物薄膜トランジスタ(TFT)の製作のために,ほとんどの研究は,高い移動度を持つ酸化物膜のゾル-ゲル被覆に焦点を当てたが,大面積TFTバックプレーンに対する回路(個々のTFT+金属線)を統合するために避けられない湿潤基部を持つチャネルまたは金属パターニングプロセスは,従来のInとZn系酸化物チャンネルと追加の後処理工程(エッチング・ストッパーと回復過程)の意図しない電気的劣化のために除外された。酸化膜中のSn-O結合の取込みは膜の電気的性能と化学的耐久性を高めると湿潤基部を持つ金属パターン形成中の電気的劣化を最小にすることができるが,逆に,湿潤基部を持つチャネルパターン形成を困難にしている。Sn-O取込と温度制御熱アニーリングを用いて,化学反応経路に基づく,下(弱いM-O結合を持つ)およびロバスト状態(強いM-O結合を持つ)へのゾル-ゲル被覆したSnを組み込んだZnO(ZTO)膜の化学的耐久性を設計することができた。井戸パターン化された溶液処理したZTOチャネルは化学的に弱い状態で形成され,化学的耐久性工学とウェットエッチングプロセスの組合せ(ソフトベーク→パターン→ハードベーク),低い漏れ電流(~10~11 A),優れた電気的性能(2.0≦μ_FE≦3.2cm~2V~ 1s~ 1),および化学的ロバスト性金属湿式エッチング液に対するで均一にパターン化された,高度に電気的,化学的にロバストなZTOチャネルを誘導するによる金属パターン形成のための化学的にロバストな状態に強化した。全ての湿潤に基づくアプローチは,大面積溶液処理酸化物TFTバックプレーンに対する回路(個々のTFT+金属線)を統合するように設計されている(i)ゾル-ゲルチャネル被覆,(ii)チャネル湿潤パターン形成,および(iii)溶液系における電極湿潤パターン形成。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , ,
, , , 【Automatic Indexing@JST】

トランジスタ , 酸化物薄膜

, , , , , , ,

前のページに戻る