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J-GLOBAL ID：201702274412167033   整理番号：17A0325958

個々のPbSミクロ/ナノワイヤにおけるバルクトラップによる巨大圧抵抗効果による書き換え可能な不揮発性ストレス情報記憶【Powered by NICT】

Rewritable non-volatile stress information memory by bulk trap-induced giant piezoresistance effect in individual PbS micro/nanowires

著者 (7件)： Shi Haiping (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, 999 Xuefu Avenue, Nanchang, 330031, China. [e-mail]) ,  Zheng Jianping ,  Cheng Baochang ,  Zhao Jie ,  Su Xiaohui ,  Xiao Yanhe ,  Lei Shuijin
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 1  ページ： 229-237  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適用機械的応力により誘起されたピエゾ抵抗は各種センサに広く用いられている。ここで,個々のPbS micro/nanowireベース素子は柔軟な絶縁プラスチック基板上に構築した。動的歪誘発巨大ピエゾ抵抗(GPR)効果を示すだけでなく,不揮発性ピエゾ抵抗ランダムアクセスメモリ(PRRAM)への応用のための優れた機能を示した。pcV外部歪と電場によって調整されることから,トラップされた電子ホッピング機構を提案した。±0.26%の歪を用いた動的圧縮/引張の下で,ゲージ因子は四桁,PbSミクロ/ナノワイヤ内のトラップ障壁高さの歪誘起変化に起因するに近づくことができる。低動作バイアス電圧での圧縮と引張両方の株を担持した後に,さらに,トラップ状態の排出はPbS Fermi準位の下方シフトをもたらし,対応する素子抵抗は増加し,ストレス関連データは異なる株を負荷することによって書かれた/設定できることを示した。続いて空のトラップ状態は比較的高い外部電場下で充填できるように順番にPbSのFermi準位の高エネルギー側へのシフトと,それに応じてデバイス抵抗率は初期の低抵抗状態へ回復させる,ことである,貯蔵されたストレス関連情報は比較的高い外部バイアス電圧を印加することにより消去/リセットできる。ナノ構造に基づくデバイスの再現性のある書込み/消去特性は,応用のための低電力と信頼性の高い不揮発性PRRAMを開発する道を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  *非揮発性 ,  ナノ構造 ,  *硫化鉛 ,  Fermi準位 ,  再現性 ,  *ナノワイヤ ,  RAM【メモリ】 ,  *圧抵抗効果 ,  電気抵抗率 ,  引張
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  障壁高さ ,  電子ホッピング ,  圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： PbS ,  ナノワイヤ ,  バルク ,  圧抵抗効果 ,  書き換え ,  不揮発性 ,  ストレス ,  情報記憶