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J-GLOBAL ID：201702274484360019   整理番号：17A0749416

WSe_2(1-x)Te_2_x単分子層における金属-半導体相転移【Powered by NICT】

Metal-Semiconductor Phase-Transition in WSe_{2(1- x )}Te_{2 x} Monolayer

著者 (19件)： Yu Peng (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Lin Junhao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Sun Linfeng (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Le Quang Luan (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Yu Xuechao (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Gao Guanhui (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin Hausvogteiplatz 5-7, 10117, Berlin, Germany) ,  Hsu Chuang-Han (Department of Physics, National University of Singapore, 117542, Singapore) ,  Wu Di (Department of Physics, National University of Singapore, 117542, Singapore) ,  Chang Tay-Rong (Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Zeng Qingsheng (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Liu Fucai (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Wang Qi Jie (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Jeng Horng-Tay (Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Jeng Horng-Tay (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan) ,  Lin Hsin (Department of Physics, National University of Singapore, 117542, Singapore) ,  Trampert Achim (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin Hausvogteiplatz 5-7, 10117, Berlin, Germany) ,  Shen Zexiang (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore) ,  Suenaga Kazu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Liu Zheng (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore, 639798, Singapore)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201603991  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)単分子層における金属-半導体相転移はWSe_2(WSe_2(1 x)Te_2x,ここで0%~ 100%)にTeを合金化によって達成される。WSe_2(1 x)Te_2x単分子層の光学バンドギャップは1.67~1.44eV(2H半導体)調節することができ,0eV(1td金属),機能的電子/光電子デバイスにおける刺激的な機会を開くに低下した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単分子層 ,  *テルル ,  バンドギャップ ,  *半導体 ,  合金化 ,  *相転移 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  バンドギャップ ,  電界効果トランジスタ ,  金属 ,  semiconductors

分類 (2件)： 分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単分子層 ,  相転移