文献

J-GLOBAL ID：201702274554626153   整理番号：17A0759459

SiCおよびZnOとGaNのヘテロ構造は骨格半導体におけるキャリアの安定性と分離を促進する【Powered by NICT】

Heterostructures of GaN with SiC and ZnO enhance carrier stability and separation in framework semiconductors

著者 (11件)： Farrow Matthew R. (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK) ,  Buckeridge John (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK) ,  Lazauskas Tomas (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK) ,  Mora-Fonz David (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK) ,  Scanlon David O. (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK) ,  Scanlon David O. (Diamond Light Source Ltd., Diamond House, Harwell Science and Innovation Campus, Didcot, Oxfordshire OX11 0DE,, UK) ,  Catlow C. Richard A. (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK) ,  Catlow C. Richard A. (The UK Catalysis Hub, Research Complex at Harwell, Rutherford Appleton Laboratory, Didcot OX11 0FA, UK) ,  Catlow C. Richard A. (Cardiff Catalysis Institute, School of Chemistry, Cardiff University, Main Building, Park Place, Cardiff CF10 3AT, UK) ,  Woodley Scott M. (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK) ,  Sokol Alexey A. (Department of Chemistry, Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London WC1H 0AJ, UK)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600440  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論を用いて,計算論的アプローチは新しいクラスの半導体複合材料の増強された電子-正孔安定性と分離を記述するために採用,いわゆる二重気泡構造モチーフ,光触媒用途に使用できる。GaN又はZnOのいずれかと混合したSiCを含む二重気泡と同様に,低形成エネルギーを有することが証明されている関連モチーフを調べた。は原子ZnOケージ内,24原子SiCソーダライトケージは,この材料が太陽放射吸収応用に適した電子特性を持つことを示した。安定,SiC内部ZnOを,逆構造は二重気泡の大変形と光励起電子電荷キャリアの強力な局在化を示し,検討した複合材料の約2.15eVの最低バンドギャップを持つことが分かった。これらの材料のナノ多孔性性質は,熱電応用に対するそれらの適合性を示すことができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光触媒 ,  複合材料 ,  *炭化ケイ素 ,  バンドギャップ ,  *半導体 ,  光ポンピング ,  *酸化亜鉛 ,  密度汎関数法 ,  気泡 ,  *窒化ガリウム ,  ナノポーラス ,  電荷キャリア ,  *ヘテロ構造
準シソーラス用語： 局在化 ,  形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 密度汎関数理論 ,  二重バブル ,  窒化ガリウム ,  photocatalysis ,  炭化けい素 ,  酸化亜鉛

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  ZnO ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  骨格 ,  キャリア ,  安定性 ,  促進