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J-GLOBAL ID：201702274578429125   整理番号：17A0469160

増強された電極触媒活性と安定性をもつほう素ドープg C_3N_4の合成【Powered by NICT】

Synthesis of boron-doped g-C₃N₄ with enhanced electro-catalytic activity and stability

著者 (6件)： Zhang Suyun (School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Gao Lina (School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Fan Dongliang (School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Lv Xiaomeng (School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Li Yuan (School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Yan Zaoxue (School of Chemistry and Chemical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 672  ページ： 26-30  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,合理的にグラフェンアナログナノシートの相互接続したネットワークを持つ3次元窒化炭素階層構造を設計し,共縮合戦略によるほう素をドープした。XPSスペクトルは,高分子g C_3N_4中のほう素原子の取り込みを検証し,X線回折およびIRは,元のg C_3N_4とほう素をドープしたg C_3N_4(B_x GCN)の特徴的な構造特性を示した。B_x GCNをサイクリックボルタンメトリー分析によるとp-ニトロフェノールの還元における有望な電極触媒活性と安定性を示した。さらに,電極触媒としてのこの無金属,有機半導性高分子の使用は,経済と環境の両方の観点からハイブリッド窒化炭素材料の広い応用を開くであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高分子 ,  ネットワーク ,  *電極触媒 ,  X線回折 ,  三次元 ,  半導性 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  構造特性 ,  階層構造 ,  相互接続 ,  サイクリックボルタンメトリー
準シソーラス用語： 共縮合 ,  窒化炭素 ,  *電極触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ほう素 ,  g C_3N_4 ,  ドーピング ,  電極触媒還元 ,  p-ニトロフェノール

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 増強 ,  電極触媒活性 ,  安定性 ,  ほう素 ,  ドープ