文献

J-GLOBAL ID：201702274607330282   整理番号：17A0057900

高温での非触媒的CVDグラフェン層を持つサファイア上のGaNの直接成長【Powered by NICT】

Direct growth of GaN on sapphire with non-catalytic CVD graphene layers at high temperature

著者 (12件)： Xu Yu (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, P. R. China) ,  Li Zongyao (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, P. R. China) ,  Qi Lin (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, P. R. China) ,  Zhao En (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, P. R. China) ,  Cai Demin (Suzhou Nanowin Science and Technology Co. Ltd., Suzhou 215123, P. R. China) ,  Zhang Yumin (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, P. R. China) ,  Qiu Yongxin (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, P. R. China) ,  Ren Guoqiang (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, P. R. China) ,  Zhang Jicai (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, P. R. China) ,  Wang Jianfeng (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, P. R. China) ,  Cao Bing (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, P. R. China) ,  Xu Ke (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, P. R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 97-100  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日,サファイア上のヘテロエピタキシャルGaN膜を,低温GaNバッファ層を用いた従来の二段階成長プロセスに焦点を当てた。ここでは,高温度,GaN成長プロセスを単純化し,グラフェン層を用いてサファイア上のGaN膜の直接成長を示した。グラフェンは直接問題移動過程なしでの化学蒸着法による無触媒サファイア基板上に合成し,1200~°Cの温度で炭素源としてC2H4を用いた。合成されたグラフェンは,Raman分光法,X線光電子分光法(XPS),原子間力顕微鏡(A FM)によって特性化した。グラフェンを持つあるいは持たないサファイア上に成長させたGaNを比較した。単結晶,平滑表面のGaN膜はグラフェンでサファイア上に得られ,GaN膜の核形成を検討した。GaN膜は高い近バンド端発光と良好な紫外光センサを明らかにした。グラフェンは高品質GaN膜のヘテロエピタクシーの可能性,有用なバッファ層であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  低温 ,  滑面 ,  *グラフェン ,  原子間力顕微鏡 ,  バッファ層 ,  核形成 ,  *サファイア ,  キャラクタリゼーション ,  *高温 ,  Raman分光法 ,  *窒化ガリウム ,  ヘテロエピタクシー ,  紫外線
準シソーラス用語： サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 触媒 ,  CVD ,  グラフェン ,  サファイア ,  GaN ,  成長