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J-GLOBAL ID：201702274672111851   整理番号：17A0548457

部分キャップ制御による低密度InAs/GaAs量子ドットの形成~厚さ制御によるバックグラウンド発光低減~

著者 (9件)： 角田雅弘 (東大 ナノ量子機構) ,  太田泰友 (東大 ナノ量子機構) ,  車一宏 (東大 生産技研) ,  渡邉克之 (東大 ナノ量子機構) ,  渡邉克之 (東大 生産技研) ,  岩本敏 (東大 ナノ量子機構) ,  岩本敏 (東大 生産技研) ,  荒川泰彦 (東大 ナノ量子機構) ,  荒川泰彦 (東大 生産技研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-313-4  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *保護膜 ,  *量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  *厚み制御 ,  バックグラウンド ,  発光 ,  MBE成長 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： *キャップ層 ,  *InAs量子ドット ,  GaAs ,  *厚さ制御 ,  分子線エピタクシー成長 ,  励起子発光

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： キャップ ,  低密度 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  厚さ制御 ,  バックグラウンド