RF MMIC応用のための高周波GaNH EMT【Powered by NICT】

Micovic M.; Brown D. F.; Regan D.; Wong J.; Tang Y.; Herrault F.; Santos D.; Burnham S. D.; Tai J.; Prophet E.; Khalaf I.; McGuire C.; Bracamontes H.; Fung H.; Kurdoghlian A. K.; Schmitz A.

文献

J-GLOBAL ID：201702274847272703 整理番号：17A0214151

RF MMIC応用のための高周波GaNH EMT【Powered by NICT】

High frequency GaN HEMTs for RF MMIC applications

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著者 (16件)： , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 2016 号： IEDM ページ： 3.3.1-3.3.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ft>400GHzとfmax>550GHzと対応するICプロセスを持つ高度にスケーリングされたGaNH EMTの開発をもたらすことを重要な課題と技術的ブレークスルーの概観を提供した。これらの高度にスケールGaNデバイスは他の半導体系(Si, SiGe, InP, GaAs)で類似していた高周波RF電力利得をもつトランジスタよりも5倍高い破壊電圧を示した。もこれらの高度にスケールされた素子を利用したMMIC電力増幅器(PA)の第一世代の性能を報告した。,これらの高度にスケールGaNデバイスを用いて構築した3Vのバイアスと出力電力24.3dBmの第一世代KaバンドMMIC PAの32GHzの周波数で測定した59%の電力付加効率(PAE)はこの周波数帯で他の半導体技術について報告された値ならびに低周波数GaNノードに建設されたKaバンドMMICのためのPAEの有意な改善を示した。提示されたデータは,高度にスケールされたGaNトランジスタは次世代の28GHz,39GHz,および高い周波数5g移動バンドのためのMMIC PAのための優れた候補であることを示唆し,それらは携帯電話の電池寿命を拡張し,競合する半導体技術に比較して優れたPAEにより大幅にからである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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増幅回路

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